![](/images/graphics-bg.png)
Prospects of 4H-SiC Double Drift Region IMPATT Device as a Photo-Sensitive High-Power Source at 0.7 Terahertz Frequency Regime
المؤلفون المشاركون
Mukherjee, Moumita
Roy, Sitesh Kumar
Mazumder, Nilratan
المصدر
Active and Passive Electronic Components
العدد
المجلد 2008، العدد 2008 (31 ديسمبر/كانون الأول 2008)، ص ص. 1-9، 9ص.
الناشر
Hindawi Publishing Corporation
تاريخ النشر
2008-03-30
دولة النشر
مصر
عدد الصفحات
9
التخصصات الرئيسية
الملخص EN
The dynamic performance of wide-bandgap 4H-SiC based double drift region (p++pnn++) IMPATT diode is simulated for the first time at terahertz frequency (0.7 Terahertz) region.
The simulation experiment establishes the potential of SiC based IMPATT diode as a high power (2.5×1011 Wm−2) terahertz source.
The parasitic series resistance in the device is found to reduce the RF power output by 10.7%.
The effects of external radiation on the simulated diode are also studied.
It is found that (i) the negative conductance and (ii) the negative resistance of the diode decrease, while, the frequency of operation and the quality factor shift upward under photoillumination.
Holes in 4H-SiC based IMPATT are found to dominate the modulation activities.
The inequality in the magnitude of electron and hole ionization rates in the semiconductors may be correlated with these findings.
نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)
Mukherjee, Moumita& Mazumder, Nilratan& Roy, Sitesh Kumar. 2008. Prospects of 4H-SiC Double Drift Region IMPATT Device as a Photo-Sensitive High-Power Source at 0.7 Terahertz Frequency Regime. Active and Passive Electronic Components،Vol. 2008, no. 2008, pp.1-9.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-987724
نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)
Mukherjee, Moumita…[et al.]. Prospects of 4H-SiC Double Drift Region IMPATT Device as a Photo-Sensitive High-Power Source at 0.7 Terahertz Frequency Regime. Active and Passive Electronic Components No. 2008 (2008), pp.1-9.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-987724
نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)
Mukherjee, Moumita& Mazumder, Nilratan& Roy, Sitesh Kumar. Prospects of 4H-SiC Double Drift Region IMPATT Device as a Photo-Sensitive High-Power Source at 0.7 Terahertz Frequency Regime. Active and Passive Electronic Components. 2008. Vol. 2008, no. 2008, pp.1-9.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-987724
نوع البيانات
مقالات
لغة النص
الإنجليزية
الملاحظات
Includes bibliographical references
رقم السجل
BIM-987724
قاعدة معامل التأثير والاستشهادات المرجعية العربي "ارسيف Arcif"
أضخم قاعدة بيانات عربية للاستشهادات المرجعية للمجلات العلمية المحكمة الصادرة في العالم العربي
![](/images/ebook-kashef.png)
تقوم هذه الخدمة بالتحقق من التشابه أو الانتحال في الأبحاث والمقالات العلمية والأطروحات الجامعية والكتب والأبحاث باللغة العربية، وتحديد درجة التشابه أو أصالة الأعمال البحثية وحماية ملكيتها الفكرية. تعرف اكثر
![](/images/kashef-image.png)