تأثير زمن التنميش على مورفولوجية سطوح زرنيخيد الغاليوم المنتجة بطريقة التنميش الكيميائي الضوئي باستخدام ضوء الشمس
Other Title(s)
Effect of etching time on gallium arsenide surfaces morphology produced by photochemical etching method using sunlight
Joint Authors
حسين علي محمد
إسلام ناصر يوسف
حسن عسكر كاظم
Source
مجلة أبحاث كلية التربية الأساسية
Issue
Vol. 17, Issue 2 (30 Jun. 2021), pp.1550-1570, 21 p.
Publisher
University of Mosul College of Basic Education
Publication Date
2021-06-30
Country of Publication
Iraq
No. of Pages
21
Main Subjects
Topics
Abstract AR
تم تحضير زرنيخيد الغاليوم المسامي من شرائح زرنيخيد الغاليوم البلوري نوع(n-type) و ذات اتجاه بلوري (111) و مقاومية (0.00245 (Ohm cmعن طريق التنميش الكيميائي الضوئي باستخدام ضوء الشمس كمصدر ضوئي و ذلك لتميزها على العديد من مصادرها الصناعية الأخرى كالمصابيح الكهربائية المختلفة (مصباح الهالوجين، مصباح التنكستن) و المصادر الضوئية المختلفة في الليزر، و تم دراسة تأثير زمن التنميش على المورفولوجية السطحية لزرنيخيد الغاليوم باستخدام مجهر القوة الذرية ( (AFMو بينت النتائج إمكانية الحصول على طبقات من زرنيخيد الغاليوم المسامي ذات طبيعة سطح مختلفة عند تغيير أزمنة التنميش (50 min، 40 min، 30 min) و ثبات كل من تركيز الحامض عند (HF 40 %) و شدة الإضاءة عند (8901mw / cm2 )، حيث تكونت طبقات مسامية بسمك (31.70nm ، 30.13 nm، (15.28 nm و بمعدل أقطار للحبيبات و الجسيمات النانوية (64.31nm ، 98.73 nm، 80.26 nm) على التوالي، و إن كل من الخشونة السطحية و سمك الطبقة المسامية للشرائح المحضرة تزداد عند زيادة زمن التنميش و تقل عند نقصان زمن تنميشها، و وجد أن إنتاج تراكيب زرنيخيد الغاليوم المسامي النانوي ذات ضرورة مهمة للحصول على سطح بمواصفات مميزة من أجل استخدامها في نبائط الإلكترونات الضوئية و الخلايا الشمسية.
Abstract EN
Porous gallium arsenide has been prepared from wafers of crystalline gallium arsenide type (n-type) with crystallographic orientation (111) and resistivity (0.00245 Ω-cm) by photochemical etching using sunlight as a light source to distinguish it from its other industrial sources such as different light bulbs (Halogen lamp, Tungsten lamp) and the various light sources in laser.
The effect of etching time on surface morphology of GaAs was studied by atomic force microscope (AFM).
The results showed the possibility of obtaining layers of porous gallium arsenide of different surface nature when changing the etching times (50 min, 40 min, 30 min) and the constancy of acid concentration at (HF 40 %) and illumination intensity at (8901 mw / cm2) porous layers are formed with thicknesses (31.70 nm, 30.13 nm, 15.28 nm) and with average diameters of granules and nanoparticles (64.31 nm, 98.73 nm, 80.26 nm) respectively.
Both the surface roughness and the thickness of the porous layer of the prepared wafers increased when the etching time increased and decreased when the etching time decreased.
It has been found that the production of nanoporous gallium arsenide structures is essential to obtain a surface with distinctive specifications for use in photoelectrons devices and solar cells.
American Psychological Association (APA)
إسلام ناصر يوسف وحسين علي محمد وحسن عسكر كاظم. 2021. تأثير زمن التنميش على مورفولوجية سطوح زرنيخيد الغاليوم المنتجة بطريقة التنميش الكيميائي الضوئي باستخدام ضوء الشمس. مجلة أبحاث كلية التربية الأساسية،مج. 17، ع. 2، ص ص. 1550-1570.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1260495
Modern Language Association (MLA)
إسلام ناصر يوسف....[و آخرون]. تأثير زمن التنميش على مورفولوجية سطوح زرنيخيد الغاليوم المنتجة بطريقة التنميش الكيميائي الضوئي باستخدام ضوء الشمس. مجلة أبحاث كلية التربية الأساسية مج. 17، ع. 2 (حزيران 2021)، ص ص. 1550-1570.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1260495
American Medical Association (AMA)
إسلام ناصر يوسف وحسين علي محمد وحسن عسكر كاظم. تأثير زمن التنميش على مورفولوجية سطوح زرنيخيد الغاليوم المنتجة بطريقة التنميش الكيميائي الضوئي باستخدام ضوء الشمس. مجلة أبحاث كلية التربية الأساسية. 2021. مج. 17، ع. 2، ص ص. 1550-1570.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1260495
Data Type
Journal Articles
Language
Arabic
Notes
يتضمن مراجع ببليوجرافية : ص. 1568-1570
Record ID
BIM-1260495