Electrical properties of GaAs implanted with high energy (100meV) 28Si and 120Sn Ions
Other Title(s)
الصفات الكهربائية لزرنيخ الجاليوم المقذوف بطاقة عالية (100 مليون إلكترون فولت) بأيونات السيليكون والقصدير
Joint Authors
Ali, Yusuf Pyar
Arora, B. M.
al-Ani, Salwan Kamal Jamil
Source
ARID International Journal for Science and Technology
Issue
Vol. 4, Issue 8 (31 Dec. 2021), pp.77-92, 16 p.
Publisher
Publication Date
2021-12-31
Country of Publication
United Kingdom
No. of Pages
16
Main Subjects
Abstract AR
يهدف هذا البحث إلى دراسة الصفات الكهربائية لبلورات الزرنيخ الجاليوم بعد تعرضها للانغراس الأيوني بطاقة عالية جدا (100) مليون إلكترون فولت) بأيونات السيليكون والقصدير بشكل مستقل.
قذفت بلورات أحادية، من نوع سالب من مركب زرينخيد الجاليوم بأيونات سيليكون وأيونات قصدير بطاقة عالية مقدارها 100 مليون إلكترون فولت بجرعة مقدارها *1 1810 أيون لكل متر مربع عند درجة حرارة الغرفة.
تم دراسة ومقارنة السلوك الكهربائي للبلورات المقذوفة بدراسة منحنى التيار جهد بعد القذف وكذا بعد تعرضها لعملين التلدين الحراري عند درجات حرارة مختلفة حتى 850 درجة مئوية.
لوحظ أن منحنى التيار-جهد للبلورات التي قذفت بأيونات السيليكون أبدت سلوكا يشبه سلوك الوصلة الثنائية، ثم سلكت السلوك الخطي بعد تعرضها للتلدين الحراري ما بين درجات الحرارة (150 550 درجة مئوية) وبعد تلدينها إلى درجة حرارة 650 درجة مئوية أظهرت هذه العينات ثانية سلوك الوصلة الثنائية، وعند زيادة درجة حرارة التلدين إلى 850 درجة مئوية بدأ يختفي سلوك الوصلة الثنائية ليظهر سلوك يشبه الوصلة الثنائية العكسية بالمقابل أظهرت منحنيات التيار-جهد للعينات المقذوفة بأيونات القصدير سلوكا خطيا بعد عملية الانغراس الأيوني وظلت محتفظة بهذا السلوك بعد تعرض العينات للتلدين الحراري حتى 450 درجة مئوية، ثم أظهرت سلوكا غير خطي ضعيف عند التلدين بدرجات حرارة بين 550-750 درجة مئوية، وبزيادة درجة حرارة التلدين إلى 850 درجة مئوية أظهرت العينات سلوك الوصلة الثنائية في منحنيات التيار .
جهد.
تمت دراسة تأثير درجة الحرارة على مقاومة العينات المقذوفة بكل من السيليكون-والقصدير بعد الانغراس الأيوني مباشرة، وكذا العينات التي لدنت حراريا وذلك بقياس مقاومة العينات من خلال منحنيات التيار - جهد عند درجات الحرارة المختلفة.
تم دراسة سلوك العينات بدراسة آليات التوصيل الكهربي التي تسيطر على السلوك الكهربي لهذه العينات.
Abstract EN
Single crystal n-GaAs substrates have been implanted at 300 K with 100 MeV 28Si and 120 Sn ions to a dose of 1x10¹³ions/m² independently.
the electrical properties of these samples has been investigated and compared after implantation and annealing up to 850 °C by current voltage (I-V) measurements.
It has been observed that the I-V curves for the samples implanted with 2*Si ions show p-n junction like characteristics which then show a linear I-V characteristics for the annealing treatment between 150-550 °C.
Annealing the samples at 650 °C results in a typical diode like I-V characteristics which become less non-linear after further annealing at 750 °C.
further annealing at 850 °C results in to a back ward diode like behavior.
however the I-V curves for the samples implanted with 120Sn ions and annealed up to 450°C were linear which then show a weak non linearity for the annealing treatments between 550°C-750°C.
After 850°C annealing the samples show a strong nonlinearity typical of a p-n junction.
the temperature dependence of resistance of both 28Si and 120Sn implanted GaAs samples after implantation and different annealing steps are investigated and the possible conduction mechanisms are discussed.
American Psychological Association (APA)
Ali, Yusuf Pyar& al-Ani, Salwan Kamal Jamil& Arora, B. M.. 2021. Electrical properties of GaAs implanted with high energy (100meV) 28Si and 120Sn Ions. ARID International Journal for Science and Technology،Vol. 4, no. 8, pp.77-92.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1552152
Modern Language Association (MLA)
Ali, Yusuf Pyar…[et al.]. Electrical properties of GaAs implanted with high energy (100meV) 28Si and 120Sn Ions. ARID International Journal for Science and Technology Vol. 4, no. 8 (Dec. 2021), pp.77-92.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1552152
American Medical Association (AMA)
Ali, Yusuf Pyar& al-Ani, Salwan Kamal Jamil& Arora, B. M.. Electrical properties of GaAs implanted with high energy (100meV) 28Si and 120Sn Ions. ARID International Journal for Science and Technology. 2021. Vol. 4, no. 8, pp.77-92.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1552152
Data Type
Journal Articles
Language
English
Notes
Includes bibliographical references : p. 92
Record ID
BIM-1552152
