The temperature dependence of photoconductivity in a-ge20se80 thin films
Other Title(s)
a-Ge20Se اعتمادية التوصيلية الضوئية على درجة الحرارة في أغشية 80 الرقيقة
Author
Source
Issue
Vol. 5, Issue 1 (31 May. 2008), pp.30-33, 4 p.
Publisher
University of Baghdad College of Science
Publication Date
2008-05-31
Country of Publication
Iraq
No. of Pages
4
Main Subjects
Topics
Abstract AR
تمت دراسة التوصيلية الضوئية و اعتماديتها على شدة الضوء الساقط لأغشية الجرمانيوم-سيلينايد الرقيقة كدالة لدرجة الحرارة بين (323-293)K.
أظهرت النتائج تزايد التوصيلية الضوئية و الحساسية الضوئية مع زيادة درجة حرارة التلدين.
فسرت النتائج على أساس تشتيت الانتشار المسيطر على إعادة اتحاد الإلكترونات و الفجوات الموضعية
Abstract EN
The photoconductivity and its dependence on light intensity have been investigated in a-Ge20Se80 thin films as a function of temperature between (293–323) K.
The result showed that the photoconductivity and photosensitivity increase with increase of annealing temperature.
This behavior is interpreted in terms of the dispersive diffusion–controlled recombination of localized electrons and holes.
American Psychological Association (APA)
Abbas, Nada Khudayr. 2008. The temperature dependence of photoconductivity in a-ge20se80 thin films. Iraqi Journal of Physics،Vol. 5, no. 1, pp.30-33.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-199424
Modern Language Association (MLA)
Abbas, Nada Khudayr. The temperature dependence of photoconductivity in a-ge20se80 thin films. Iraqi Journal of Physics Vol. 5, no. 1 (May. 2008), pp.30-33.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-199424
American Medical Association (AMA)
Abbas, Nada Khudayr. The temperature dependence of photoconductivity in a-ge20se80 thin films. Iraqi Journal of Physics. 2008. Vol. 5, no. 1, pp.30-33.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-199424
Data Type
Journal Articles
Language
English
Notes
Includes bibliographical references: p. 33
Record ID
BIM-199424
