Silicon nitride films deposited in a direct-PECVD
Other Title(s)
وضع أفلام نيتريد السيليسيوم باستعمال تنقية البلازما للتبخير الكيميائي في مفاعل صناعي للتطبيقات الفوتوفولتية
Joint Authors
al-Umrani, A.
Mahiou, L.
Menous, I.
Touati, A.
Lefgoum, A.
Source
Arab Journal of Basic and Applied Sciences
Issue
Vol. 4, Issue 0 (31 Aug. 2007), pp.77-84, 8 p.
Publisher
University of Bahrain College of Science
Publication Date
2007-08-31
Country of Publication
Bahrain
No. of Pages
8
Main Subjects
Topics
Abstract AR
الهدف من هذا العمل هو إيجاد العوامل التكنولوجية الأفضل لمفاعل البلازما للتبخر الكيميائي PECVD، التي تمكننا الحصول على أفلام نيتريد السيليسيوم (SIN) الموجه للتطبيقات الفوتوفولتية و كذلك تقدير تأثيرها على الخصائص الكهربائية للخلايا الشمسية للسيليسيوم المتعدد البلورات.
عملية الوضع أجريت داخل مفاعل بلازما، باستعمال مزيج غازي NH3 / SIH4.
بعد تعيين لنسبة الأمثل و نسبة الطاقة الكهربائية للبلازما، تم قياس نوعية الفيلم SIH بطريقة داخل محلول (Buffer Oxide Etch) BOE.
تقنية البلازما لنزع فيلم نيتريد السيليسيوم تمكننا من معاينة تأدية الوصلة الكهربائية و تقليل نشاط مراكز أسر الشحنات المولدة ضوئيا، و أيضا تأثير سطح الفيلم على خاصية انعكاسات الأشعة الضوئية.
بالنسبة للأولى فإننا لاحظنا بأن الضغط الكهربائي للدائرة المفتوحة ينقص نسبيا و ازدياد كبير في تيار الشبع الكهربائي للخلية الشمسية.
بالنسبة للفعل الثاني، فانه يؤدي إلى تفيض التيار المولد في الخلية الشمسية ISC.
تقليل نشاط مراكز أسر الشحنات الكهربائية و خفض الانعكاس الضوئي يؤديان إلى تحسين مرد و دية الخلية بمقدار 1 % قيمة مطلقة.
Abstract EN
In this work, we project to determine the deposition parameters leading to optimal optical properties of non-stoichiometric Silicon nitride (SiN) film for photovoltaic application and estimate its effects on electrical characteristics of multi crystalline solar cells.
The deposition was performed in an industrial direct pulsed PECVD using a gas mixture of NH3 / SiH4.
After defining optimal gas ratio and optimal plasma power discharge we have chemically evaluate the quality of the film in BOE solution.
Plasma removal of the SiN films allows to highlight and to estimate the emitter passivation and ARC effects on the solar cell performance.
As regard to the first one, a relative decrease for open circuit voltage and increase of diode saturation current were observed.
For the second effect, we observed a reduction oflsc.
Cells efficiency decrease resulting from the disappearance of these two effects is 0.8 % absolute.
American Psychological Association (APA)
al-Umrani, A.& Menous, I.& Touati, A.& Mahiou, L.& Lefgoum, A.. 2007. Silicon nitride films deposited in a direct-PECVD. Arab Journal of Basic and Applied Sciences،Vol. 4, no. 0, pp.77-84.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-247029
Modern Language Association (MLA)
al-Umrani, A.…[et al.]. Silicon nitride films deposited in a direct-PECVD. Arab Journal of Basic and Applied Sciences Vol. 4 (Aug. 2007), pp.77-84.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-247029
American Medical Association (AMA)
al-Umrani, A.& Menous, I.& Touati, A.& Mahiou, L.& Lefgoum, A.. Silicon nitride films deposited in a direct-PECVD. Arab Journal of Basic and Applied Sciences. 2007. Vol. 4, no. 0, pp.77-84.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-247029
Data Type
Journal Articles
Language
English
Notes
Includes bibliographical references : p. 83
Record ID
BIM-247029
