Optical characteristics of GaAs implanted with high energy 56Fe ions
Other Title(s)
الخواص الضوئية لبلورة زرنيخ الجاليوم بعد عملية إنغراس أيوني بالحديد ذي الطاقة العالية فيها
Joint Authors
Ali, Yusuf P.
Belekar, M. M.
Narsale, A. M.
Arora, B. M.
Source
University of Aden Journal of Natural and Applied Sciences
Issue
Vol. 13, Issue 2 (31 Aug. 2009), pp.447-452, 6 p.
Publisher
Publication Date
2009-08-31
Country of Publication
Yemen
No. of Pages
6
Main Subjects
Topics
Abstract AR
شععت بلورات أحادية من ركيزة زرنيخ الجاليوم نصف العازل بأيونات حديد بطريقة الانغراس الأيوني ذي الطاقة العالية (70مليون إلكترون فولت) و بجرعات مختلفة (1012 × 1 أيون / سم2_1014 × 1 أيون / سم2) استخدمت المطيافية تحت الحمراء لتحليل النفاذية البصرية بمدى طاقة فوتون (0.1-1.4 إلكترون فولت) لدراسة الخواص الضوئية لهذه البلورات.
لوحظ من خلال دراسة منحنيات النفاذية البصرية أن الكثافة البصرية للعينات تزداد بشكل تدريجي بزيادة جرعة أيون الحديد في كل المدى المستخدم لطاقة الفوتون .اتضح من خلال دراسة الكثافة البصرية للعينات أن العيوب البلورية الناشئة بسبب الانغراس الأيوني ازدادت بشكل ملحوظ في العينات التي شععت بجرعات أكبر من 1013 × 1 أيون / سم2.
أجريت تجربة التلدين الحراري على العينة التي شععت بجرعة 1014 × 1 أيون / سم2 و منها لوحظ أن العيوب البلورية الناشئة في وسط فجوة النطاق يتم التخلص منها بشكل أسرع بالتلدين الحراري من تلك العيوب التي نشأت بالقرب من حافة الفجوة عندما لدنت العينات حراريا حتى 350°C.
يلاحظ من النتائج أن العيوب البلورية الناشئة بسبب الانغراس الأيوني لازالت تسيطر على الخصائص الضوئية للعينات و تحتاج إلى درجات حرارة تلدين أعلى و بشكل حذر في وسط مشبع بالزرنيخ حتى يتم التخلص من العيوب المتمركزة في وسط الفجوة و العيوب الأكثر تعقيدا المنتشرة عند حافة الفجوة.
Abstract EN
Single crystal semi insulating GaAs substrates, implanted with 70 MeV 56Fe ions with doses varying from 1x1012 ions/cm2 to 1x1014 ions/cm2, have been investigated using near and mid infrared (IR) spectroscopy of optical transmission over photon energy range of 0.1-1.4 eV.
The optical density increases gradually by increasing the implanted 56Fe ions dose over the entire photon energy range probed.
There is a considerable increase in radiation induced crystal defects in the samples implanted by ion doses above 1x 1013 ions/cm2.
Annealing experiments show that mid gap defects are more rapidly annealed out than the near band edge defects at 350°C.
Further careful annealing experiment at higher temperatures and in arsenic atmosphere is required to anneal the defects at the mid gap and at the near band edge.
American Psychological Association (APA)
Ali, Yusuf P.& Belekar, M. M.& Narsale, A. M.& Arora, B. M.. 2009. Optical characteristics of GaAs implanted with high energy 56Fe ions. University of Aden Journal of Natural and Applied Sciences،Vol. 13, no. 2, pp.447-452.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-288192
Modern Language Association (MLA)
Ali, Yusuf P.…[et al.]. Optical characteristics of GaAs implanted with high energy 56Fe ions. University of Aden Journal of Natural and Applied Sciences Vol. 13, no. 2 (Aug. 2009), pp.447-452.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-288192
American Medical Association (AMA)
Ali, Yusuf P.& Belekar, M. M.& Narsale, A. M.& Arora, B. M.. Optical characteristics of GaAs implanted with high energy 56Fe ions. University of Aden Journal of Natural and Applied Sciences. 2009. Vol. 13, no. 2, pp.447-452.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-288192
Data Type
Journal Articles
Language
English
Notes
Includes bibliographical references : p. 450-451
Record ID
BIM-288192
