![](/images/graphics-bg.png)
Number of quantum well(s) effects on GaN-based VCSELs
Other Title(s)
تأثير عدد آبار الكمي على الليزرات ذات الانبعاث الشاقولي
Author
Source
Engineering and Technology Journal
Issue
Vol. 29, Issue 9 (31 Dec. 2011), pp.1796-1803, 8 p.
Publisher
Publication Date
2011-12-31
Country of Publication
Iraq
No. of Pages
8
Main Subjects
Topics
Abstract AR
تم استخدام برنامج المحاكاة العددية المتقدمة لتحليل أداء ليزرات غاليوم نترايت (GaN) ذات انبعاث سطحي لتجويف شاقولي (VCSEL)، و باستخدام أبار كميه واحدة، ثنائية و ثلاثية كوسط فعال.
وجد أن تباين أعداد الآبار (QW) في داخل المنطقة الفعالة هو العامل الأكثر أهميه على أداء هذه الليزرات.
لقد تم الحصول على أدنى تيار عتبة و أعلى كفاءة ميل و كفاءة تفاضلية كميه عندما كان عدد الآبار مزدوجا (DQWs) عند الطول الموجي 415 نانومتر.
و يرجع ذلك إلى أنه بالنسبة لبئر واحد (SQW)، يبدأ بعض الربح بالهروب من الوسط الفعال قبل الحصول على الليزر.
أما في الآبار الكمية الثلاثية (TQWs)، لأنها مفصولة بحواجز سميكة كثيرة، لذلك يكون نقل حاملات الشحنة بين هذه الآبار غير فعال.
مما ينتج عنه توزيع غير منتظم لهذه الحاملات.
Abstract EN
Advanced numerical simulation program was used to analyze the performance of GaN based vertical cavity surface emitting laser (VCSEL) with single, double and triple quantum well (s) as active region.
It was found that numbers of quantum well (QW) variation inside the active region is the most critical factor on the VCSEL performance.
The lowest threshold current and highest in both the slope efficiency and differential quantum efficiency were observed when the well number is double (DQWs) at 415 nm VCSEL.
This is ascribed to that for single quantum well (SQW), some of the gain begin to escape before lasing is achieved while for triple quantum wells (TQWs) while are separated by many thick barriers, then transport carriers between wells will be inefficient.
As a result, a non-uniform carrier distribution may result.
American Psychological Association (APA)
Jasim, Farah Z.. 2011. Number of quantum well(s) effects on GaN-based VCSELs. Engineering and Technology Journal،Vol. 29, no. 9, pp.1796-1803.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-290006
Modern Language Association (MLA)
Jasim, Farah Z.. Number of quantum well(s) effects on GaN-based VCSELs. Engineering and Technology Journal Vol. 29, no. 9 (2011), pp.1796-1803.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-290006
American Medical Association (AMA)
Jasim, Farah Z.. Number of quantum well(s) effects on GaN-based VCSELs. Engineering and Technology Journal. 2011. Vol. 29, no. 9, pp.1796-1803.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-290006
Data Type
Journal Articles
Language
English
Notes
Includes appendices : p. 1799-1803
Record ID
BIM-290006