Optoelectronic properties of the semiconductor compound Cu0.5 Ag0.5 GaSe2
Other Title(s)
الخصائص الكهروضوئيه للمركب شبه الموصل Cu0.5 Ag0.5 GaSe2
Joint Authors
Taha, Wathiq Ayyub
Yasin, Muayyad Nafi
Source
Issue
Vol. 24, Issue 1A (30 Apr. 2006), pp.35-48, 14 p.
Publisher
University of Basrah College of Science
Publication Date
2006-04-30
Country of Publication
Iraq
No. of Pages
14
Main Subjects
Topics
Abstract AR
أجريت القياسات الكهربائية (10-1 torr) لنماذج مختلفة من المركب الرباعي شبه الموصل Cu0.5 Ag0.5 GaSe2 المحضر بطريقة نقية التبريد البطيء Slow cooling، و كذلك على أغشيته الرقيقة المحضرة بطريقتي التبخير في الفراغ و الترذيذ.
تم حساب التوصيلية الكهربائية و طاقات التنشيط لهذه النماذج و درس تأثير المعاملة الحرارية و اختلاف طرق التحضير على هذه الخواص.
و قد بينت قياسات هول Hall measurements بأن الأغشية المحضرة هي من نوع P و تم حساب التحركية Mobility و تركيز حاملات الشحنة عند درجة حرارة الغرفة.
درست الخواص الكهروضوئية للمركب و أغشيته و تم حساب عرض ذيول الحالات الموضعية للأغشية الرقيقة و قد تراوحت بين (eV 0.29-0.18).
أجريت قياسات التوصيلية الضوئية Photo-conductivity و الاستجابة الطبقية للكاشف الضوئي المصنوع من بلورة المركب المفردة Single crystal و بينت النتائج أن أعظم استجابة طيفية للكاشف Spectral response تقع عند الطول الموجي (720 nm).
Abstract EN
The electrical measurements were carried out under vacuum (10-1torr) on different samples of the quaternary semiconductor compound prepared by slow cooling technique.
Such measurements were also carried out on to the thin films of the compound prepared by evaporation under vacuum and D.
C.
sputtering methods.
The electrical conductivity and activation energies of the prepared samples were studied under the influence of annealing processes.
Hall measurements indicating that the thin films are P-type.
Mobility and concentration of the carriers were calculated at room temperature.
The optoelectronic properties of the compound (single crystal, bulk and thin films) were also studied.
The tail width of the localized states of thin films were determined to be in the range (0.18-0.29 eV).
The photo-conducting properties and spectral response of the photodetector (made from the single crystal) were obtained and analyzed.
The maximum spectral response of the detector was occurred at a wavelength of (720nm).
American Psychological Association (APA)
Taha, Wathiq Ayyub& Yasin, Muayyad Nafi. 2006. Optoelectronic properties of the semiconductor compound Cu0.5 Ag0.5 GaSe2. Basrah Journal of Science،Vol. 24, no. 1A, pp.35-48.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-290250
Modern Language Association (MLA)
Taha, Wathiq Ayyub& Yasin, Muayyad Nafi. Optoelectronic properties of the semiconductor compound Cu0.5 Ag0.5 GaSe2. Basrah Journal of Science Vol. 24, no. 1-A (2006), pp.35-48.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-290250
American Medical Association (AMA)
Taha, Wathiq Ayyub& Yasin, Muayyad Nafi. Optoelectronic properties of the semiconductor compound Cu0.5 Ag0.5 GaSe2. Basrah Journal of Science. 2006. Vol. 24, no. 1A, pp.35-48.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-290250
Data Type
Journal Articles
Language
English
Notes
Includes bibliographical references : p. 47-48
Record ID
BIM-290250