Simulation of carbon ion plantation in silicon targets
Joint Authors
Source
Sciences et Technologie : Sciences Exactes
Issue
Vol. 2009, Issue 29 (30 Jun. 2009), pp.55-60, 6 p.
Publisher
Publication Date
2009-06-30
Country of Publication
Algeria
No. of Pages
6
Main Subjects
Topics
Abstract AR
في هذا العمل قمنا بمحاكاة عدة تفاعلات خاصة بالزرع الأيوني للكربون داخل مساند من السيليسيوم غير المتبلور.
تمت الدراسة على التوالي.
تحصلنا على عدة قيم keV 80 و2.7 ×1017 C+cm-2 من اجل جرعة و طاقة تساويان TRIM بواسطة البرنامج و قارناها مع المراجع المتوفرة.
من جهة أخرى تنبأنا بالعيوب خاصة بالزرع الأيوني (ΔRp الانحراف, Rp المسار, الخ) بالنسبة لتوزيع الايونات تحصلنا على توافق جيد بين المحاكاة و C+ (الفجوات و الفونونات) الناتجة عن الزرع الأيوني للكربون.
لكن يجب القول بان تأثير بعض العناصر (درجة حرارة المعالجة, الخ) غير ممكن باستعمال التوجه البلوري للمساند, المراجع.
بواسطة TRIM البرنامج.
Abstract EN
In this work, several phenomena related to carbon ion implantation, in amorphous silicon targets, were simulated.
The investigation was performed using the TRIM code for a dose of 2.7 ×1017 C+cm-2 and an energy of 80 keV.
Several quantities (the projected range (Rp), the standard deviation (ΔRp), etc.), characterizing the ion implantation, were obtained and compared with literature.
On the other hand, the radiation damage (vacancies and phonons) in the substrates was also predicted.
Concerning the redistribution of C+ ions, a good correlation between the simulation and literature has been revealed.
However, we note that the investigation of the effect of some factors (annealing temperature, crystallographic orientation of the targets, etc.) on the studied phenomena is not possible by the TRIM code.
American Psychological Association (APA)
Labbani, R.& Bouguerra, A.. 2009. Simulation of carbon ion plantation in silicon targets. Sciences et Technologie : Sciences Exactes،Vol. 2009, no. 29, pp.55-60.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-293042
Modern Language Association (MLA)
Labbani, R.& Bouguerra, A.. Simulation of carbon ion plantation in silicon targets. Sciences et Technologie : Sciences Exactes No. 29 (2009), pp.55-60.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-293042
American Medical Association (AMA)
Labbani, R.& Bouguerra, A.. Simulation of carbon ion plantation in silicon targets. Sciences et Technologie : Sciences Exactes. 2009. Vol. 2009, no. 29, pp.55-60.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-293042
Data Type
Journal Articles
Language
English
Notes
Includes bibliographical references : p. 60
Record ID
BIM-293042