Effet de la frequence dans la determination des proprietes optoelectroniques du silicium amorphe hydrogene par la technique de photocourant constant en regime periodique (AC-CPM)‎

Abstract FRE

L’échantillon ‘‘Intersolar ISB4’’ en silicium amorphe hydrogéné (a-Si :H) de type intrinsèque préparé par la technique de décomposition chimique en phase gazeuse assistée par plasma (PECVD), a été caractérisé par la technique de photocourant constant en mode périodique (AC-CPM).

Le spectre d’absorption optique α (hν) et la densité d’états des défauts ont été déterminés par simulation pour plusieurs fréquences.

On a développé pour cette raison, un programme pour modéliser la technique AC-CPM en tenant en compte toutes les transitions thermiques ET optiques possibles entre les états localisés dans le gap et les états étendus dans la bande de conduction et de valence.

Le modèle de ‘‘defect pool’’ pour la densité d’états électronique (DOS) est incorporé dans notre modélisation.

Pour valider nos résultats de simulation, on a mesuré α (hν) de l’échantillon ‘‘Intersolar ISB4’’ pour plusieurs fréquences ET on a convertit ensuite les spectres d’absorption optique mesurés en densité d'états électronique à l’intérieure du gap de mobilité.

Les résultats obtenus par modélisation sont en bonne concordance avec les mesures.

Les propriétés optoélectroniques du silicium amorphe hydrogéné a-Si:H ont été déterminés pour différentes fréquences.

Au fur ET à mesure que la fréquence augmente, les propriétés optiques en termes de spectre d’absorption optique sont plus en plus sous-estimées quand aux propriétés électroniques en termes de densité d’états électronique sont plus en plus bien déterminées.