Effet de la polarisation du substrat sur les proprietes electriques et hyperfrequences du mesfet gaas

Abstract FRE

Dans cet article on décrit l’effet de la polarisation du substrat sur les caractéristiques électriques du transistor à effet de champ à l’arséniure de gallium.

Une analyse basée sur l’existence d’une double charge d’espace à l’interface couche active substrat- semi isolant est appliquée à la détermination des paramètres de la couche active et de l’interface.

Les propriétés des caractéristiques du courant de drain et celles de l’admittance de sortie et les phénomènes physiques liés à cette interface sont attribués à la réponse dynamique de cette double charge d’espace.