Modele "defect pool" et photoconductivite en regime stationnaire dans le silicium amorphe hydrogene (a-Si : H)‎

Abstract FRE

Le présent travail consiste en la simulation numérique de la Photoconductivité en régime Stationnaire (PCS) dans le Silicium Amorphe Hydrogéné (a-Si : H) en prenant pour structure électronique du matériau la distribution énergétique des états des défauts calculée par le modèle "defect pool" (MDP).

Ce calcul tient en compte les réactions d'équilibre chimique intervenant dans le mécanisme de conversion des liaisons faibles en liaisons pendantes.

La réponse du matériau à une excitation optique continue est ensuite modélisée dans les conditions de quasiéquilibre du système.

Les résultats de la PCS obtenues par simulation montrent un bon accord avec les résultats expérimentaux correspondants.

L'interprétation de l'allure générale de la PCS en fonction de la température dans le cas du a-Si:H intrinsèque est faite en examinant la dependence de température des différentes charges et taux de recombinaisons dans les états des queues de bande de conduction et de valence et des liaisons pendantes.