Analyse du photocourant transitoire simule dans le silicium amorphe hydrogene intrinseque (a-si : h)‎ en configurations coplanaire et p+-i-n+

Abstract FRE

Dans ce travail, nous étudions, par simulation numérique, la photoréponse transitoire de films à base de silicium amorphe hydrogéné (a-Si : H) au travers de deux configurations : une cellule sandwich (p+-i-n+) et une configuration coplanaire, lorsqu’elles sont étudiées par les techniques de caractérisation ‘temps de vol’ (Time Of Flight : TOF) et photoconductivité transitoire (PCT), respectivement.

La densité des états profonds dans le ‘gap’ proposée dans la simulation est calculée selon le modèle defect pool.

La technique TOF est simulée en mode de courant limité par la charge d’espace (Space Charge Limited Current : SCLC) pour différentes températures et tensions appliquées ; la technique de la PCT est simulée pour différentes températures.

La similitude entre les résultats obtenus de la simulation et des courbes expérimentales correspondantes renforce la validation du modèle defect pool.

Deux temps caractéristiques ont été identifiés de l’allure du photocourant transitoire ; le temps d’extraction de la charge, te, spécifique à la cellule p+-i-n+, ainsi que le temps d’émission par les pièges profonds, tE.

Son tracé d’Arrhenius donne, pour les porteurs de charge, une fréquence d’échappement aux bords des mobilités d’environ 1011 Hz.