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Simulation bidimensionnelle des caracteristiques I-V DU transistor mesfet GaAs
Joint Authors
Merabtine, N.
Kenzai, C.
Khamisi, S.
Source
Sciences et Technologie : Sciences Exactes
Issue
Vol. 2004, Issue 22 (31 Dec. 2004), pp.69-74, 6 p.
Publisher
Publication Date
2004-12-31
Country of Publication
Algeria
No. of Pages
6
Main Subjects
Abstract FRE
Dans cet article, nous présentons un modèle de calcul des caractéristiques courant-tension I-V d’un transistor à effet de champ à barrière Schottky à l’Arséniure de Gallium, dit MESFET GaAs.
Ce modèle physique est basé sur l’analyse bidimensionnelle de l’équation de Poisson dans la zone active sous la grille.
Dans ce cadre, nous avons élaboré un logiciel de simulation basé sur des expressions analytique que nous avons établi précédemment.
Les résultats théoriques obtenus sont discutés et comparés avec ceux de l’expérience.
American Psychological Association (APA)
Merabtine, N.& Khamisi, S.& Kenzai, C.. 2004. Simulation bidimensionnelle des caracteristiques I-V DU transistor mesfet GaAs. Sciences et Technologie : Sciences Exactes،Vol. 2004, no. 22, pp.69-74.
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Modern Language Association (MLA)
Merabtine, N.…[et al.]. Simulation bidimensionnelle des caracteristiques I-V DU transistor mesfet GaAs. Sciences et Technologie : Sciences Exactes No. 22 (2004), pp.69-74.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-295493
American Medical Association (AMA)
Merabtine, N.& Khamisi, S.& Kenzai, C.. Simulation bidimensionnelle des caracteristiques I-V DU transistor mesfet GaAs. Sciences et Technologie : Sciences Exactes. 2004. Vol. 2004, no. 22, pp.69-74.
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Data Type
Journal Articles
Language
French
Notes
Includes bibliographical references : p. 47
Record ID
BIM-295493