Effects of deposition potential on Cu4SnS4 thin films prepared by electrodeposition technique
Joint Authors
Qasim, Anwar
Tee, Tan Wee
Nagalingam, Saravanan
Min, Ho Soon
Kuang, Zulkefly
Sharif, Atan
Haron, Jelas
Source
The Arabian Journal for Science and Engineering. Section A, Science
Issue
Vol. 35, Issue 1A (31 Jan. 2010), pp.84-92, 9 p.
Publisher
King Fahd University of Petroleum and Minerals
Publication Date
2010-01-31
Country of Publication
Saudi Arabia
No. of Pages
9
Main Subjects
Topics
Abstract AR
لقد قمنا – في هذا البحث – بإنتاج رقائق فلميه من Cu4SnS4 باستخدام تقنية الترسيب الكهربائي على أكسيد الإنديوم و القصدير عند درجة حرارة الغرفة، و من ثم دراسة العوامل المؤثرة في أثناء الترسب.
و قد تم التحقق من الخصائص الهيكلية و البنيوية و البصرية للأغشية الرقيقة باستخدام حيود الأشعة السينية، و مجهر القوة الذرية و الأشعة فوق البنفسجية.
و وجدنا أن الفيلم البلوري النانومتري ذات تركيب أرثورومبي و سطحه على مستوى (221).
و قد كشفت صور مجهر القوة الذرية أن الأفلام المترسبة كانت سلسلة و منتظمة عند جهد ترسيب قدره 0.6- فولت.
و تتراوح فجوة الطاقة البصرية للأفلام بين 1.58 إلى 1.84 إلكترون فولت تبعا لجهد الترسب.
و تدل الاستجابة الضوئية لمنطقة الكاثود على شبه موصل من نوع p.
Abstract EN
Cu4SnS4 thin films were produced by the electrode position technique on indium tin oxide substrates at room temperature.
The effects of deposition potential toward the properties of the thin films were investigated.
The structural, morphological, and optical properties of thin films have been investigated by using x-ray diffraction, atomic force microscopy, and UV-vis spectrophotometer, respectively.
The monocrystalline film was found to be orthorhombic in structure, with the preferential orientation along the 221 plane.
The AFM image reveals the electrodeposited films were smooth, compact, and uniform at deposition potential of –0.6 V.
The optical band gap of films ranges from 1.58 to 1.84 eV depending upon the deposition potential.
The photo response in the catholic region indicated a p-type semiconductor.
American Psychological Association (APA)
Qasim, Anwar& Kuang, Zulkefly& Sharif, Atan& Haron, Jelas& Tee, Tan Wee& Min, Ho Soon…[et al.]. 2010. Effects of deposition potential on Cu4SnS4 thin films prepared by electrodeposition technique. The Arabian Journal for Science and Engineering. Section A, Science،Vol. 35, no. 1A, pp.84-92.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-308407
Modern Language Association (MLA)
Qasim, Anwar…[et al.]. Effects of deposition potential on Cu4SnS4 thin films prepared by electrodeposition technique. The Arabian Journal for Science and Engineering. Section A, Science Vol. 35, no. 1A (Jan. 2010), pp.84-92.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-308407
American Medical Association (AMA)
Qasim, Anwar& Kuang, Zulkefly& Sharif, Atan& Haron, Jelas& Tee, Tan Wee& Min, Ho Soon…[et al.]. Effects of deposition potential on Cu4SnS4 thin films prepared by electrodeposition technique. The Arabian Journal for Science and Engineering. Section A, Science. 2010. Vol. 35, no. 1A, pp.84-92.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-308407
Data Type
Journal Articles
Language
English
Notes
Includes bibliographical references : p. 91-92
Record ID
BIM-308407
