Growth and transport properties of some gallium chalcogenides from the group M2III X3VI semiconductor compounds
Other Title(s)
إنماء و دراسة الخواص الانتقالية لبعض مركبات الجاليوم الشالكوجيندية شبه الموصلة من المجموعة M2III X3VI
Joint Authors
Bahabari, Fatimah Salim
al-Arini, Ruqayah Husayn
Abbas, Najah Tawfiq
Abu Zayd, Muhammad Ali
al-Qurani, Sabah E.
al-Ghamidi, Wafa S.
Source
Journal of King Abdulaziz University : Sciences
Issue
Vol. 23, Issue 2 (31 Dec. 2011), pp.31-44, 14 p.
Publisher
King Abdulaziz University Scientific Publishing Center
Publication Date
2011-12-31
Country of Publication
Saudi Arabia
No. of Pages
14
Main Subjects
Topics
Abstract AR
استخدم تصميم محلي عالي الكفاءة قليل التكلفة بسيطا و سهل التشغيل لإنماء بلورات أحادية من المركب ألفا ثنائي الجاليوم ثلاثي الكبريت فائقة الجودة اعتمادا على تقنية بريجمان الشهيرة في نظام الإنماء البلوري من المصهور، و تم التأكد من وجود المنتج و وجوده في طور واحد عن طريق مخطط حيود الأشعة السينية.
تم قياس الموصلية الكهربائية المستمرة و ظاهرة هول و القدرة الكهرحراية في مدى واسع من درجات الحرارة تحت تفريغ مناسب.
تم التعرف على نوعية التوصيل الحادث و اتساع النطاق المحظور باستخدام قياسات الموصلية الكهربائية و ظاهرة هول، و تم الربط بين نتائج تلك القياسات و النتائج التي توصلنا إليها من قياسات القدرة الكهروحرارية، أمكن تعيين مجموعة من الثوابت الفيزيائية الهامة مثل الحركية و الكتلة الفعالة و معامل الانتشار و طور مسار الانتشار و زمن الاسترخاء لحوامل التيار الحرة من ثقوب و إلكترونات.
كما تم تحديد عنصر فيزيائي هام يحدد إمكانية استخدام هذه المركب في تحويل الطاقة الحرارية إلى طاقة كهربائية فيما يعرف باسم كفاءة تحويل الطاقة الحرارية إلى طاقة كهربائية فيما يعرف باسم كفاءة التحويل و التي يعبر عنها بالاستحقاق الكهرحراري و وجد أن قيمتها تقع في المدى الذي يسمح باستعمالها كعنصر كهرحراري جيد.
Abstract EN
High quality α–Ga2 S3 single crystal was grown by a modified Bridgman method.
The crystals were identified by X-ray diffraction.
Measurements of electrical conductivity and Hall Effect were performed in the range [278–563K] and [158–496K] for thermoelectric power (TEP).
From these measurements the conductivity of the crystals was p-type.
The electrical conductivity, Hall mobility, and whole concentration at 300K were found to be about 2.5 x 10-5 Ω-1 cm-1 , 1.67 x 104 cm2 v-1 s-1 and 9.58x109 cm-3 respectively.
The energy gap was found to be 1.75 eV.
From the obtained experimental data several physical parameters such as diffusion coefficient, diffusion lengths, effective masses, relaxation time of carriers were estimated.
In addition to these pronounced parameters, the efficiency of the thermoelectric element [figure of merit] was evaluated which leads to better application in the field of energy conversion technique.
American Psychological Association (APA)
Abbas, Najah Tawfiq& Bahabari, Fatimah Salim& al-Arini, Ruqayah Husayn& Abu Zayd, Muhammad Ali& al-Qurani, Sabah E.& al-Ghamidi, Wafa S.. 2011. Growth and transport properties of some gallium chalcogenides from the group M2III X3VI semiconductor compounds. Journal of King Abdulaziz University : Sciences،Vol. 23, no. 2, pp.31-44.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-308916
Modern Language Association (MLA)
Abbas, Najah Tawfiq…[et al.]. Growth and transport properties of some gallium chalcogenides from the group M2III X3VI semiconductor compounds. Journal of King Abdulaziz University : Sciences Vol. 23, no. 2 (2011), pp.31-44.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-308916
American Medical Association (AMA)
Abbas, Najah Tawfiq& Bahabari, Fatimah Salim& al-Arini, Ruqayah Husayn& Abu Zayd, Muhammad Ali& al-Qurani, Sabah E.& al-Ghamidi, Wafa S.. Growth and transport properties of some gallium chalcogenides from the group M2III X3VI semiconductor compounds. Journal of King Abdulaziz University : Sciences. 2011. Vol. 23, no. 2, pp.31-44.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-308916
Data Type
Journal Articles
Language
English
Notes
Includes bibliographical references : p. 43
Record ID
BIM-308916
