![](/images/graphics-bg.png)
Design and fabrication of thin film a-Si Al2O3 Infrared filter
Other Title(s)
تصميم و تصنيع الأشعة تحت الحمراء نوع a-Si Al2O3
Joint Authors
Muhammad, Khalil Khalid
Gazai, Sad
Source
al-Rafidain Engineering Journal
Issue
Vol. 20, Issue 4 (31 Aug. 2012), pp.60-68, 9 p.
Publisher
University of Mosul College of Engineering
Publication Date
2012-08-31
Country of Publication
Iraq
No. of Pages
9
Main Subjects
Topics
Abstract AR
يعتبر مرشح الموجة تحت الحمراء و الذي يعمل بدرجات حرارة مختلفة من العناصر المهمة في التطبيقات الصورية.
تم هذا البحث اقتراح نوع جديد من مرشح الموجة تحت الحمراء مكون من طبقة أساسية من مادة السيلكون المتبلور و مرسب عليها طبقات عديدة من مادة أكسيد الألمنيوم و مادة السيلكون العشوائي التركيب (a-Si) و ذلك لتكوين مرشح الموجة تحت الحمراء ضمن الحزمة m (8-14).
تم استخدام مادة السيلكون العشوائي في البحث بسبب معامل انكساره العالي بينما تمتاز مادة أكسيد الألمنيوم بمعامل انكسار واطئ, و تمت عملية التصميم باستخدام البرنامج (TF calc 3.5.6 version)) حيث تم الحصول على مرشح مكون من 19 طبقة و ذات نفاذية مقدارها 82 % للطول ألموجي m (8-12.5), بينما كانت النفاية بحدود 90 % باستخدام 47 طبقة لطول ألموجي m (8-13.75).
تم تصنيع المرشح المقترح باستخدام جهاز التبخير الفراغي و كانت النتائج قريبة جدا من نماذج التمثيل بالحاسوب.
كذلك تمت مقارنة النتائج مع المرشح المكون من مادة الجرمانيوم و مادة كبريتيد الخارصين و كانت النتائج متقاربة و لكن مع كلفة قليلة للمرشح المقترح مقارنة مع المرشح المصنع من مادة الجرمانيوم و مادة كبريتيد الخارصين (Ga / ZnS).
Abstract EN
Long-wavelength infrared filter operated at various temperature are critical for imaging applications.
In this paper anew type of infrared filter is investigated, this infrared filter uses a crystalline silicon substrate coated with multi layers of aluminum oxide (AL2O3) and amorphous silicon (a-Si) to produce the multi layers thin film infrared filter a-Si / AL2O3 operating in the range (8-14)um.
Amorphous silicon is used in this paper due to its high refractive index, while AL2O3 due to its low refractive index material.
The a-Si / AL2O3 thin film structure were designed using the Thin Film Design software (TF Calc 3.5.6 version).
The simulated results obtained shows that the transmittance of the a-Si / AL2O3 infrared filter with 19 layers is about 90% for (8-12.5) μm wavelength, while it is about 95 % for 47 layers for (8.25-13.25) μm wavelength.
The investigated filter was fabricated using vacuum evaporation process and the results obtained were comparable with the simulated one.
The fabricated a-Si / AL2O3 filter is compared with the Ge / ZnS infrared filter and it is found that the results is comparable but the cost of the fabricated filter is small compared to the Ge / ZnS filter.
American Psychological Association (APA)
Muhammad, Khalil Khalid& Gazai, Sad. 2012. Design and fabrication of thin film a-Si Al2O3 Infrared filter. al-Rafidain Engineering Journal،Vol. 20, no. 4, pp.60-68.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-309478
Modern Language Association (MLA)
Muhammad, Khalil Khalid& Gazai, Sad. Design and fabrication of thin film a-Si Al2O3 Infrared filter. al-Rafidain Engineering Journal Vol. 20, no. 4 (Aug. 2012), pp.60-68.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-309478
American Medical Association (AMA)
Muhammad, Khalil Khalid& Gazai, Sad. Design and fabrication of thin film a-Si Al2O3 Infrared filter. al-Rafidain Engineering Journal. 2012. Vol. 20, no. 4, pp.60-68.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-309478
Data Type
Journal Articles
Language
English
Notes
Includes bibliographical references : p. 67-68
Record ID
BIM-309478