![](/images/graphics-bg.png)
Optoelectronic properties of CdSe Si heterojunction
Other Title(s)
الخصائص الكهرو بصرية للمفرق الهجين CdSe Si
Author
Source
Engineering and Technology Journal
Issue
Vol. 30, Issue 12 (31 Dec. 2012), pp.2138-2149, 12 p.
Publisher
Publication Date
2012-12-31
Country of Publication
Iraq
No. of Pages
12
Main Subjects
Topics
Abstract AR
في هذا البحث تم تصنيع كاشف ضوئي من المفرق الهجين n-CdSe/p-Si بتقنية التبخير الحراري في الفراغ لأغشية CdSe المنماة على قواعد من السيليكون Si أحادي التبلور.
أن قيمة فجوة الطاقة لأغشية CdSe المحضرة حددت من خلال دراسة طيف النفاذية للأغشية و التي بلغت حوالي (1.89 eV).
من خلال دراسة تغير معامل سيبك مع درجة الحرارة تبين أن نوع التوصيلية لأغشية CdSe هي من النوع المانح n-type و أن قيمة طاقة التنشيط لهذا الأغشية هي (0.59 eV).
تضمنت خصائص المفرق الهجين دراسة خصائص تيار – جهد في حالتي الظلام و الإضاءة و خصائص سعة – جهد.
بينت خصائص تيار – جهد أن قيمة عامل المثالية للمفرق الهجين كانت (1.43), إضافة إلى توضيح آلية نقل التيار عند مناطق الفولتيات الواطئة و العالية.
أن العلاقة الخطية ما بين مقلوب مربع السعة C-2 و فولتية الانحياز العكسي V أوضحت أن المفرق الهجين غير المتماثل من النوع الحاد و استخدمت هذه العلاقة في تحديد قيمة جهد البناء الداخلي للمفرق.
من خلال دراسة خصائص تيار – جهد في حالة الإضاءة عند قدرات ضوئية مختلفة mW/cm2 (240, 180, 90) وجد أن المفرق الهجين CdSe/Si يعطي خصائص خطية جيدة لمديات القدرة الضوئية الساقطة.
Abstract EN
In this paper n-CdSe/p-Si heteroj unction photodetector was fabricated by thermal-evaporation te chnique of CdSe thin film grown onto single cry stalline Si substrate .
The e nergy gap of CdSe film was estimated from transmittance spectra and found to be (1.89 eV) .
The temperature dependenc e of Seebeck coefficient was studied .
The conductivity of CdSe thin film is n-ty pe and the value of activation energy is (0.59 eV).
Hete rojunction properties included dark and illuminated current-voltage(I-V ) and capacitance-voltage(C-V ) characte ristics.
From I-V plot, junction ideality factor for he terojunction was calculated to be 1.43, and providing information about the current transport mechanism.
The linear variation of the expe rimental curve C -2 vs.
V is indicative of the pre sence of abrupt heterojunction and it used to determine the experimental value of built-injunction potential V bi .
From illuminated I-V plot at different intensity le vels (90,180,240) mW/cm 2 , the linearity behavior of CdSe/Si heterojunction was investigated .
American Psychological Association (APA)
Ibrahim, Wasim Najib. 2012. Optoelectronic properties of CdSe Si heterojunction. Engineering and Technology Journal،Vol. 30, no. 12, pp.2138-2149.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-320803
Modern Language Association (MLA)
Ibrahim, Wasim Najib. Optoelectronic properties of CdSe Si heterojunction. Engineering and Technology Journal Vol. 30, no. 12 (2012), pp.2138-2149.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-320803
American Medical Association (AMA)
Ibrahim, Wasim Najib. Optoelectronic properties of CdSe Si heterojunction. Engineering and Technology Journal. 2012. Vol. 30, no. 12, pp.2138-2149.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-320803
Data Type
Journal Articles
Language
English
Notes
Includes bibliographical references : p. 2148-2149
Record ID
BIM-320803