Calcul des concentrations de molécules et de radicaux lors de déposition de couches minces a-Si : H par procédés PECVD
Joint Authors
Source
Annales des Sciences et Technologie
Issue
Vol. 4, Issue 2 (30 Nov. 2012), pp.115-120, 6 p.
Publisher
University Kasdi Merbah Ouargla
Publication Date
2012-11-30
Country of Publication
Algeria
No. of Pages
6
Main Subjects
Topics
Abstract FRE
La modélisation fluide de la déposition d'une couche mince a-Si:H procédé PECVD est une des methods les plus utilisées pour étudier la croissance des couches minces.
Dans la technique PECVD les électrons sont responsables de la dissociation et de la décomposition du gaz introduit dans le réacteur.
Les radicaux resultants interviennent pour former le film voulu.
Dans ce travail, on s’intéresse au calcul des concentrations de différentes molécules et radicaux neutres SixHy, lors de l'introduction d'un mélange gazeux SiH4 / H2 dans un réacteur PECVD.
On se limite à la résolution de l’équation de diffusion indépendante du temps, entre les deux électrodes, par la méthode des différences finies.
Les résultats sont comparés aux résultats d’autres auteurs.
American Psychological Association (APA)
Babahani, O.& Khalafawi, F.. 2012. Calcul des concentrations de molécules et de radicaux lors de déposition de couches minces a-Si : H par procédés PECVD. Annales des Sciences et Technologie،Vol. 4, no. 2, pp.115-120.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-323749
Modern Language Association (MLA)
Babahani, O.& Khalafawi, F.. Calcul des concentrations de molécules et de radicaux lors de déposition de couches minces a-Si : H par procédés PECVD. Annales des Sciences et Technologie Vol. 4, no. 2 (Nov. 2012), pp.115-120.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-323749
American Medical Association (AMA)
Babahani, O.& Khalafawi, F.. Calcul des concentrations de molécules et de radicaux lors de déposition de couches minces a-Si : H par procédés PECVD. Annales des Sciences et Technologie. 2012. Vol. 4, no. 2, pp.115-120.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-323749
Data Type
Journal Articles
Language
French
Notes
Includes bibliographical references : p. 120
Record ID
BIM-323749