Calcul des concentrations de molécules et de radicaux lors de déposition de couches minces a-Si : H par procédés PECVD

Abstract FRE

La modélisation fluide de la déposition d'une couche mince a-Si:H procédé PECVD est une des methods les plus utilisées pour étudier la croissance des couches minces.

Dans la technique PECVD les électrons sont responsables de la dissociation et de la décomposition du gaz introduit dans le réacteur.

Les radicaux resultants interviennent pour former le film voulu.

Dans ce travail, on s’intéresse au calcul des concentrations de différentes molécules et radicaux neutres SixHy, lors de l'introduction d'un mélange gazeux SiH4 / H2 dans un réacteur PECVD.

On se limite à la résolution de l’équation de diffusion indépendante du temps, entre les deux électrodes, par la méthode des différences finies.

Les résultats sont comparés aux résultats d’autres auteurs.