Thermal study of gallium nitride-metal contact
Other Title(s)
دراسة حرارية لشريحة من مادة نتريد الجاليوم الملتصقة بمعدن
Author
Source
Journal of King Abdulaziz University : Sciences
Issue
Vol. 21, Issue 2 (31 Dec. 2009), pp.213-223, 11 p.
Publisher
King Abdulaziz University Scientific Publishing Center
Publication Date
2009-12-31
Country of Publication
Saudi Arabia
No. of Pages
11
Main Subjects
Abstract AR
شريحة رقيقة من مادة نتريد الجاليوم GaN رسبت على قاعدة مصنعة من السفائر (اليقوت الأزرق)، و سمك هذه الشريحة حوالي 0.5 ميكرومتر من نوع أشباه الموصلات ذات القطبية السالبة، و ذات الكثافة العالية، و التي تقدر بحوالي 2،2×1910سم-3 .
علاقة الجهد بالتيار تمت دراستها تحت جهاز مفرغ و في درجات حرارة متغيرة، و ذلك بعد التصاق المعدن على سطح شريحة مادة نتريد الجاليوم، و لوحظ تغير في سلوك التيار الكهربائي مع رفع درجة الحرارة ، حيث تحول المنحني من النظام غير الخطي إلى النظام خطي ،.مع زيادة درجة الحرارة ، و ذلك بسبب المقاومات التسلسلية للعينة، و وجد أن تيار التشبع يساوي 8.3 × 10 -7 أمبير عند درجة حرارة 300 كلفن.
و تم كذلك قياس ارتفاع الحاجز في نقطة الصفر، و كذلك في القياسات العليا عند اختلاف درجة الحرارة ،وحسب هذا الحاجز بأنه يساوي 0.66 و 0.86 إلكترون فولت على التوالي.
و أيضا تم حساب العامل المثالي لمثل هذه النبائط، و وجد أنه يساوي 1.26 في درجة حرارة الغرفة، و لوحظ أنه يزداد مع نقصان درجة الحرارة.
أما المقاومة التسلسلية Rs للعينة فحسبت، و وجدت أنها تساوي 64 أوم عند نفس الدرجة.
Abstract EN
GaN films are prepared by MOCVD method on a sapphire substrate.
The sample is n-type an semiconductor of 0.5 μm thickness and carriers concentration 2.2 × 1019cm–3 .Metal contacts are prepared by evaporation of metals on GaN films.
I-V characteristics are carried out under vacuum in the temperature range from 90 to 300 K.
There is a departure from the nonlinear behavior of the current to a linear one as temperature increases due to the sample series resistance.
The saturation current is found to be 8.3 × 10–7 A at room temperature then, it increases with temperature.
At room temperature, the barrier height at zero- bias and the flat band barrier height are calculated at different temperature and they are found to be 0.66 eV and 0.86 eV, respectively.
Moreover, the ideality factor has been calculated at different temperature ; it, increases with decreasing temperature and it is equal to 1.26 at room temperature.
The serial resistant is found to be to 64 Ω at room temperature.
American Psychological Association (APA)
al-Amir, Said Sad. 2009. Thermal study of gallium nitride-metal contact. Journal of King Abdulaziz University : Sciences،Vol. 21, no. 2, pp.213-223.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-327431
Modern Language Association (MLA)
al-Amir, Said Sad. Thermal study of gallium nitride-metal contact. Journal of King Abdulaziz University : Sciences Vol. 21, no. 2 (2009), pp.213-223.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-327431
American Medical Association (AMA)
al-Amir, Said Sad. Thermal study of gallium nitride-metal contact. Journal of King Abdulaziz University : Sciences. 2009. Vol. 21, no. 2, pp.213-223.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-327431
Data Type
Journal Articles
Language
English
Notes
Includes bibliographical references : p. 222
Record ID
BIM-327431