Behavior of the switching effect in P-Type TlInS2 ternary chalcogenide semiconductor
Other Title(s)
سلوك ظاهرة القطع و التوصيل في شبه الموصل الثلاثي الشالكوجينيدي ثاليوم-إنديوم-ثنائي الكبريت TlInS2
Joint Authors
al-Ghamidi, Ahmad Abd Allah
Bahabari, Fatimah Salim
Abbas, Najat Tawfiq
al-Harbi, Siham Rif
Mubarak, Mustafa Muhammad
Shaban, hamdi Tawfiq
Source
Journal of King Abdulaziz University : Sciences
Issue
Vol. 20, Issue 2 (31 Dec. 2008), pp.39-52, 14 p.
Publisher
King Abdulaziz University Scientific Publishing Center
Publication Date
2008-12-31
Country of Publication
Saudi Arabia
No. of Pages
14
Main Subjects
Topics
Abstract AR
لقد جذبت دراسة الخواص الفيزيائية لأشباه الموصلات الثلاثية الطبقية من المجموعة A^III B^III C_2^VI انتباه العديد من العلماء و الباحثين.
و في الوقت الحاضر, لفتت مركبات الثاليوم ثنائية الشالكوجينيد الثلاثية الكثير من اهتمام خبراء التكنولوجيا و الدارسين, و يرجع ذلك إلى خواصها المتميزة التي توحي بإمكانية استخدامها في التطبيقات العملية, و التي تبشر بأن لها مستقبلا واعدا في الصناعات الإلكترونية الحديثة, لذا كان اهتمامنا موجها إلى دراسة سلوك ظاهرة القطع و التوصيل في المركب الثلاثي الشالكوجينيدي ثاليوم - إنديوم - ثنائي الكبريت.
أثبتت الدراسة حدوث هذه الظاهرة لهذا المركب و هي من النوع المصحوب بوجود ذاكرة.
و أن هذه الذاكرة لها نفس الشكل و التماثل قبل و بعد عكس القطبية.
تتميز علاقة التيار الجهد في هذا المركب بوجود منطقتين إحداهما منطقة المقاومة العالية و الأخرى منطقة المقاومة المنخفضة, و فيها تكون المقاومة ذات قيمة تفاضلية سالبة.
المركب ثاليوم - إنديوم - ثنائي الكبريت تظهر فيه خاصية القطع و التوصيل ذات الهيئة المميزة من النوع S-shape.
درست العوامل المؤثرة على حدوث هذه الظاهرة, و وجد أنها ذات حساسية شديدة للحرارة و شدة الاستضاءة.
كما أن سمك العينة يؤثر على حدوثها.
تم تحديد العناصر الرئيسة المستنبطة من هذه الظاهرة, و بحث تأثير هذه العناصر بالظروف المحيطة بالعينة.
هذه الدراسة تعتبر الأولى على هذا المركب.
Abstract EN
Investigation of the switching phenomenon in single crystal TlInS2 revealed that it is typical for a memory switch.
The switching process takes place with both polarities on the crystal and have symmetrical shapes.
Current-voltage characteristics (CVC) of symmetrical Ag / p-TlInS2 / Ag structures exhibit two distinct regions, high resistance OFF state and low-resistance ON state having negative differential resistance (NDR).
TlInS2 is a ternary semiconductor exhibiting S-type i-v characteristics.
The results strongly indicate that the phenomenon in our sample is very sensitive to temperature, light intensity and sample thickness.
The switching parameters were checked under the influence of different factors of the ambient condition.
American Psychological Association (APA)
Abbas, Najat Tawfiq& Bahabari, Fatimah Salim& Mubarak, Mustafa Muhammad& Shaban, hamdi Tawfiq& al-Ghamidi, Ahmad Abd Allah& al-Harbi, Siham Rif. 2008. Behavior of the switching effect in P-Type TlInS2 ternary chalcogenide semiconductor. Journal of King Abdulaziz University : Sciences،Vol. 20, no. 2, pp.39-52.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-330097
Modern Language Association (MLA)
Bahabari, Fatimah Salim…[et al.]. Behavior of the switching effect in P-Type TlInS2 ternary chalcogenide semiconductor. Journal of King Abdulaziz University : Sciences Vol. 20, no. 2 (2008), pp.39-52.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-330097
American Medical Association (AMA)
Abbas, Najat Tawfiq& Bahabari, Fatimah Salim& Mubarak, Mustafa Muhammad& Shaban, hamdi Tawfiq& al-Ghamidi, Ahmad Abd Allah& al-Harbi, Siham Rif. Behavior of the switching effect in P-Type TlInS2 ternary chalcogenide semiconductor. Journal of King Abdulaziz University : Sciences. 2008. Vol. 20, no. 2, pp.39-52.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-330097
Data Type
Journal Articles
Language
English
Notes
Includes bibliographical references : p. 49-50
Record ID
BIM-330097