![](/images/graphics-bg.png)
The photoluminescence characteristics of partially and fully (P-N) porous silicon
Other Title(s)
خصائص التلؤلؤ الضوئي لطبقة (p-n) السيليكون المسامي جزئيا و كامل الاختراق
Joint Authors
Ulwan, Ulwan M.
Jawad, Muna S. M.
Source
Engineering and Technology Journal
Issue
Vol. 31, Issue 3 (31 Jan. 2013), pp.391-399, 9 p.
Publisher
Publication Date
2013-01-31
Country of Publication
Iraq
No. of Pages
9
Main Subjects
Topics
Abstract AR
في هذا البحث تم دراسة خصائص التلؤلؤ الضوئي لطبقة سيليكون جزئية و كاملة المسامية.
تم تحضير طبقة السيليكون المسامي باستخدام مفرق (p-n) بطريقة التنميش الكهروكيميائي-الضوئي (PEC) باستخدام أزمنة تنميش مختلفة لمفرق (p-n) سيليكوني حاد.
أظهرت نتائج أطياف التلؤلؤ الضوئي تكون طبقة سيليكون مسامي كاملة الإختراق للمفرق (p-n) و هذا أدى إلى انخفاض شدة التلؤلؤ الضوئي.
الانخفاض في شدة التلؤلؤ الضوئي يشير إلى زيادة عمليات إعادة الاتحاد الغير إشعاعي بين الإلكترون – الفجوة.
و أن طبقة السيليكون المسامي كاملة الإختراق تتكون عند أزمان التنميش العالية و في هذه الحالة لا تصلح لتحضير النبائط الباعثة للضوء, أما طبقة السيليكون المسامي (p-n) الجزئية الإختراق المتولدة لأزمنة تنميش صغيرة للمفرق تعطي شدة PL عالية و لذلك تكون ملائمة لصنع الثنائي الباعث للضوء.
Abstract EN
In this work, we present results of photoluminescence (PL) properties of fully (p-n) porous silicon device.
Porous silicon layer has been prepared by Photoelectrochemical etching under different etching time of abrupt (p-n) silicon junction.
The photoluminescence spectra, it is found that the formation of fully penetrate porous silicon layer can lead to decrease in the photoluminescence intensity.
The reduction of the PL intensity is referred to the increase of non- radiative recombination process between the electron and hole.
The obtained fully porous silicon layer in high etching time regime and this layer cannot be used for perpetration of light emitting devices, while the partially (p-n) porous silicon layer in the PL intensity has a higher value and good characteristics, this layer is suitable for (LED).
American Psychological Association (APA)
Ulwan, Ulwan M.& Jawad, Muna S. M.. 2013. The photoluminescence characteristics of partially and fully (P-N) porous silicon. Engineering and Technology Journal،Vol. 31, no. 3, pp.391-399.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-346546
Modern Language Association (MLA)
Ulwan, Ulwan M.& Jawad, Muna S. M.. The photoluminescence characteristics of partially and fully (P-N) porous silicon. Engineering and Technology Journal Vol. 31, no. 3 A (2013), pp.391-399.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-346546
American Medical Association (AMA)
Ulwan, Ulwan M.& Jawad, Muna S. M.. The photoluminescence characteristics of partially and fully (P-N) porous silicon. Engineering and Technology Journal. 2013. Vol. 31, no. 3, pp.391-399.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-346546
Data Type
Journal Articles
Language
English
Notes
Includes bibliographical references : p. 398-399
Record ID
BIM-346546