Theoretical model for vanadium doped gallium arsenide
Other Title(s)
نموذج نظرية ل (GaAs) المطعم بالفاناديوم
Author
Source
Issue
Vol. 16, Issue 1(s) (28 Feb. 2005), pp.7-14, 8 p.
Publisher
University of Mosul College of Science
Publication Date
2005-02-28
Country of Publication
Iraq
No. of Pages
8
Main Subjects
Abstract AR
يقدم هذا العمل صياغة لنموذج المطاوعة متعامدة المحاور للفاناديوم +2V في زرنيخـات الكـاليوم (GaAs).
إذ تم اشتقاق مؤثر الطاقة الخاص بالبرم (Hspin) و مؤثر الطاقة الفعال (Heff) لهذا النموذج، مع إعطاء نبذة عن تأثير Jahn-Teller و تأثيرات المطاوعة الحاصلة في البلورة المشوبة.
إن تأثيرات Jahn-Teller تم التعبير عنها في صياغة النموذج بمعاملات تقليل التفاعلات في الحـد الأول و الثـاني لمـؤثر الطاقة الفعال في حين تم التعبير عن تأثيرات المطاوعة بتقليل التناظر الموضعي عند موضع ايون +2V.
Abstract EN
An orthorhombic strain model for V2+ in GaAs is presented in this work.
Spin and effective Hamiltonians are derived for this model.
A brief summary of the Jahn-Teller effects and random strains has been given.
The JTEs show them selves by introducing reduction factors in the first and second terms of effective Hamilltonian and the random strains by lowering the local symmetry at V2+ ion sites.
American Psychological Association (APA)
al-Shaykh, Adnan Muhammad. 2005. Theoretical model for vanadium doped gallium arsenide. Rafidain Journal of Science،Vol. 16, no. 1(s), pp.7-14.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-362885
Modern Language Association (MLA)
al-Shaykh, Adnan Muhammad. Theoretical model for vanadium doped gallium arsenide. Rafidain Journal of Science Vol. 16, no. 1 (2005), pp.7-14.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-362885
American Medical Association (AMA)
al-Shaykh, Adnan Muhammad. Theoretical model for vanadium doped gallium arsenide. Rafidain Journal of Science. 2005. Vol. 16, no. 1(s), pp.7-14.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-362885
Data Type
Journal Articles
Language
English
Notes
Includes bibliographical references : p. 14
Record ID
BIM-362885
