Elaboration d’un dispositif de mesure des propriétés électriques des matériaux et mesure de la résistivité de CuO en fonetion de la température

Abstract FRE

La caractérisation des propriétés électriques est un axe important dans l’étude du comportement des matériaux ; leurs déterminations, telles que la résistivité ou la photo-conductivité, dépendent de la technique de mesure adoptée et des corrections appropriées ainsi que de l’atmosphère contenant l’échantillon.

Dans le cadre de cette étude, nous avons réalisé un dispositif de mesure conçu pour effectuer la caractérisation dans un domaine de température allant de 4°K jusqu ’à 800 °K en utilisant la technique dite des quatre pointes.

La configuration de l’échantillon est prise en considération selon que celui-ci a la forme d’une couche mince, d’une pastille ou d’un barreau.

L’étalonnage du dispositif a été effectué en exploitant les mesures de résistivité de certains phosphates bronzes de tungstène [Na, 5P4W8032 -KP2W40|6 - P4WsOj2] obtenues par Benmoussa et col.

[1], [2], Nous avons ensuite mesuré à l’aide du dispositif élaboré, la résistivité d’une pastille d’oxyde de cuivre CuO de deux manières [3] , [4] dans un intervalle de température [300 °K- 700 °K].

Le dépouillement de ces mesures révèle un comportement de semi-conducteur.

L’évaluation de la largeur de la bande interdite à partir de la courbe d'Arrhenius donne une valeur du gap égale à 0.39 V.