Theoretical study of the silicon 20 asa quantum dot
Other Title(s)
دراسة نظرية للسيليكون 20 كنقطة كمية
Author
Source
Journal of Basrah Researches : Sciences
Issue
Vol. 40, Issue 3A (30 Sep. 2014), pp.18-25, 8 p.
Publisher
University of Basrah College of Education for Pure Sciences
Publication Date
2014-09-30
Country of Publication
Iraq
No. of Pages
8
Main Subjects
Topics
Abstract AR
تعرض حسابات شبه تجريبية للخصائص الإلكترونية لعناقد السيليكون كدالة لموقع ذرة الأكسجين و ذرات من نوع آخر.
الخصائص الإلكترونية لهذه المجموعات تم حسابها باستخدامPM3.
نناقش اعتماد الخصائص الإلكترونية على عدد ذرات الأكسجين و كذلك على التكوين الهندسي لهذه المجموعات.
تسليط المجال الكهربائي أظهر التحول في توزيع الكثافة الإلكترونية.
Abstract EN
The semi-empirical calculations of the electronic properties of silicon clusters as a function of oxygen position and other types of atoms are presented.
The electronic properties of these clusters are calculated using PM3.
We studied the dependence of the electronic properties on the number of oxygen atoms as well as on the geometric configuration of these clusters.
The applied electric field showed the shifting in the electronic density distribution on the cluster.
American Psychological Association (APA)
Risan, Samira Fakhir. 2014. Theoretical study of the silicon 20 asa quantum dot. Journal of Basrah Researches : Sciences،Vol. 40, no. 3A, pp.18-25.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-419972
Modern Language Association (MLA)
Risan, Samira Fakhir. Theoretical study of the silicon 20 asa quantum dot. Journal of Basrah Researches : Sciences Vol. 40, no. 3A (2014), pp.18-25.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-419972
American Medical Association (AMA)
Risan, Samira Fakhir. Theoretical study of the silicon 20 asa quantum dot. Journal of Basrah Researches : Sciences. 2014. Vol. 40, no. 3A, pp.18-25.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-419972
Data Type
Journal Articles
Language
English
Notes
Includes bibliographical references : p.25
Record ID
BIM-419972
