![](/images/graphics-bg.png)
Laser-induced crystallization in Ga15Se81Zn4 chalcogenide Thin films
Other Title(s)
التبلور المستحث بالليزر في أفلام الشالكوجينية (Ge15Se81Zn4) الرقيقة
Author
Source
Journal of King Abdulaziz University : Sciences
Issue
Vol. 25, Issue 2 (31 Dec. 2013), pp.17-29, 13 p.
Publisher
King Abdulaziz University Scientific Publishing Center
Publication Date
2013-12-31
Country of Publication
Saudi Arabia
No. of Pages
13
Main Subjects
Topics
Abstract AR
تم تحضير أفلام الشالكوجينية (Ge15Se81Zn4) الرقيقة ذات سمك 300 نانومتر بواسطة تقنية التبخير في الفراغ حيث تم بلورتها باستخدام ليزر النيتروجين لفترات زمنية 10، 20، 30 دقيقة.
تم تحليل الأفلام المخلقة و المبلورة بالليزر باستخدام حيود الأشعة السينية، المجهر الإلكتروني الماسح ذو المجال الانبعاثي، طيف الأشعة فوق البنفسجية/ الطيف المرئي/ طيف الأشعة تحت الحمراء القريبة، الموصلية الكهربية للتيار المستمر.
حزمة الفجوة الضوئية المرصودة أصبحت أصغر بواسطة التبلور المستحث بالليزر خلال الفترة من صفر إلى 30 دقيقة و يعزى ذلك إلى تبلور الأفلام غير المبلورة.
انخفاض حزمة الفجوة باستخدام التبلور بالليزر سلوك مثير للاهتمام للمواد التي تستخدم في الأجهزة الإلكترونية المختلفة.
الموصلية الكهربية للتيار المستمر لهذه الأفلام المحضرة تم تحليلها عند درجات حرارة مختلفة تبدأ من درجة حرارة الغرفة و تنتهي عند درجة حرارة 400 كلفن.
لقد لوحظ أن الموصلية الكهربية للتيار المستمر أصبحت أكبر عند درجات الحرارة المختلفة.
و بصورة مشابه لسلوك حزمة الفجوة الضوئية فقد لوحظ انخفاض في طاقة التنشيط للموصلية الكهربية للتيار المستمر كذلك بزيادة زمن التبلور بالليزر و هناك توافق جيد بين هاتين القيمتين.
Abstract EN
Ga15Se81Zn4 chalcogenide thin films having thickness 300 nm, prepared by vacuum evaporation technique were crystallized by Nitrogen Laser for 10, 20 and 30 min.
Assynthesized and laser-crystallized films were analyzed by X-ray diffraction, field emission scanning electron microscopy (FESEM), UV / VIS / NIR spectroscopy and dc conductivity measurements.
The observed optical band gap becomes smaller by inducing lasercrystallization period 0 to 30 min, which is due to the crystallization of amorphous films.
The lowering of band gap by laser-crystallization is an interesting behavior for a material to be used in various electronic devices.
The dc conductivities of assynthesized and laser-crystallized films were analyzed at different temperatures from room temperature to 400 K.
We have noticed that the dc conductivity becomes larger at different temperatures under investigation at different laser-crystallization time.
Similar to behavior of optical band gap, the dc conductivity activation energy is also observed to become slower with increasing lasercrystallization time and there is a good compliance between these two values.
American Psychological Association (APA)
al-Hazimi, Faraj Said. 2013. Laser-induced crystallization in Ga15Se81Zn4 chalcogenide Thin films. Journal of King Abdulaziz University : Sciences،Vol. 25, no. 2, pp.17-29.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-441082
Modern Language Association (MLA)
al-Hazimi, Faraj Said. Laser-induced crystallization in Ga15Se81Zn4 chalcogenide Thin films. Journal of King Abdulaziz University : Sciences Vol. 25, no. 2 (2013), pp.17-29.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-441082
American Medical Association (AMA)
al-Hazimi, Faraj Said. Laser-induced crystallization in Ga15Se81Zn4 chalcogenide Thin films. Journal of King Abdulaziz University : Sciences. 2013. Vol. 25, no. 2, pp.17-29.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-441082
Data Type
Journal Articles
Language
English
Notes
Includes bibliographical references : p. 26-28
Record ID
BIM-441082