![](/images/graphics-bg.png)
Transparent oxide MgO thin films prepanred by reactive pused laser deposition
Other Title(s)
تحضير و دراسة خصائص غشاء أكسيد المغنيسيوم باستخدام تقنية الترسيب بالليزر النبضي
Joint Authors
Muhammad, Farhan A.
Salem ,Evan T.
Source
Engineering and Technology Journal
Issue
Vol. 28, Issue 04 (30 Dec. 2010)7 p.
Publisher
Publication Date
2010-12-30
Country of Publication
Iraq
No. of Pages
7
Main Subjects
Topics
Abstract AR
أغشية أوكسيد المغنيسيوم الشفافة العازلة المرسبة على قواعد من الزجاج عند ضغوط أوكسجين مختلفة تتراوح بين (300-50) ملى بار باستخدام تقنية الترسيب بالليزر النبضي الذي يعمل على تشظية أهداف معدن المغنيسيوم المتمثلة باستخدام الأوكسجين كوسط ترسيب.
تضمن البحث دراسة و تحليل للخصائص البصرية، و التركيبية للأغشية المحضرة بظروف مختلفة.
أظهرت نتائج الخصائص التركيبية للأغشية المنماة من خلال دراسة حيود الأشعة السينية تبين بان الحبيبات لغشاء أوكسيد المغنيسيوم قد تمحورت باتجاه (111) و (002) عند أفضل ظروف للترسيب التي وجدت لتكون (200 mbar) ضغط أوكسجين و 150 C°)) درجة حرارة قاعدة.
أظهرت نتائج الخصائص البصرية لأغشية أوكسيد المغنيسيوم أن فجوة الطاقة عند أفضل الشروط هي (5.01 eV).
كما أن نسبة النفاذية لأغشية أوكسيد المغنيسيوم كانت عالية و تصل إلى (80 %) عند ضغط أوكسجين تتراوح بين (150-300 mbar) ملى بار.
أما نتائج قياس المقاوميه لهذه الأغشية تدل على أنها ذات مقاوميه عالية تصل إلى (1.45*107 Ωcm) عند نفس ظروف الترسيب السابق.
Abstract EN
Transparent dielectric thin films of MgO have been deposited on glass substrates at different oxygen pressure between (50-300) mbar using a pulsed laser deposition technique to ablation of Mg target in the presence of oxygen as reactive atmosphere.
Structural, and optical, properties of these films have been investigated.
The films crystallize in a cubic structure and X-ray diffraction measurements have shown that the polycrystalline MgO films prepared at oxygen pressure (200) mbar and substrate temperature (150°C) with (111) and (002) orientations.
The films deposited at oxygen pressure between (150-300) mbar and substrate temperature (150°C) exhibited highest optical transmittivity (>80%) and the direct band gap energy was found to be 5.01 eV at oxygen pressure (200) mbar.
The measured of the resistivity of the film prepared at oxygen pressure (200) mbar and substrate temperature (150°C) was 1.45x107ῼcm.
American Psychological Association (APA)
Salem ,Evan T.& Muhammad, Farhan A.. 2010. Transparent oxide MgO thin films prepanred by reactive pused laser deposition. Engineering and Technology Journal،Vol. 28, no. 04.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-46140
Modern Language Association (MLA)
Salem ,Evan T.& Muhammad, Farhan A.. Transparent oxide MgO thin films prepanred by reactive pused laser deposition. Engineering and Technology Journal Vol. 28, no. 04 (2010).
https://search.emarefa.net/detail/BIM-46140
American Medical Association (AMA)
Salem ,Evan T.& Muhammad, Farhan A.. Transparent oxide MgO thin films prepanred by reactive pused laser deposition. Engineering and Technology Journal. 2010. Vol. 28, no. 04.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-46140
Data Type
Journal Articles
Language
English
Notes
Text in English ; abstracts in Arabic and English.
Record ID
BIM-46140