Physical Properties of MOS Porous Silicon Detector
Other Title(s)
الخصائص الفيزيائية لكاشف السيليكون المساميالمحضر بطريقة الاكسدة
Joint Authors
Ulwan, Ulwan M.
Abd al-Zahrah, Narjis Z.
Khalaf, Wafa Khalid
Source
Engineering and Technology Journal
Issue
Vol. 27, Issue 11 (30 Aug. 2009), pp.2286-2291, 6 p.
Publisher
Publication Date
2009-08-30
Country of Publication
Iraq
No. of Pages
6
Main Subjects
Topics
Abstract AR
في هذا البحث تم دراسة التحسسية الضوئية لكاشف للسليكون المسامي حيث وجدناها تحسنت بعد المعالجة الحرارية السريعة، تحت أفضل شروط تحضير، التيار الضوئي ازداد من (1783 إلى 3408 µm / cm2) (عند كثافة قدرة 200 mW / cm2 لمصباح التنكستن) و تيار الظلام قل من 3750 إلى 300 µ m / cm2) عند فولتية انحياز عكسية (5V).
Abstract EN
In this research we studying the sensitivity of a porous silicon photo detector, we found it improved through rapid thermal oxidation processes.
Under our optimum preparation conditions, photocurrent can reach about 3408 μA (under power density 100 mW / cm2 tungsten lamp illumination) and dark current is about 300μA (at reverse bias of 5V).
American Psychological Association (APA)
Ulwan, Ulwan M.& Abd al-Zahrah, Narjis Z.& Khalaf, Wafa Khalid. 2009. Physical Properties of MOS Porous Silicon Detector. Engineering and Technology Journal،Vol. 27, no. 11, pp.2286-2291.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-48340
Modern Language Association (MLA)
Ulwan, Ulwan M.…[et al.]. Physical Properties of MOS Porous Silicon Detector. Engineering and Technology Journal Vol. 27, no. 11 (2009), pp.2286-2291.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-48340
American Medical Association (AMA)
Ulwan, Ulwan M.& Abd al-Zahrah, Narjis Z.& Khalaf, Wafa Khalid. Physical Properties of MOS Porous Silicon Detector. Engineering and Technology Journal. 2009. Vol. 27, no. 11, pp.2286-2291.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-48340
Data Type
Journal Articles
Language
English
Notes
Includes bibliographical references : p. 2290
Record ID
BIM-48340
