![](/images/graphics-bg.png)
Effect on rapid thermal oxidation process on electrical properties of porous silicon
Other Title(s)
تاثير عملية الاكسدة الحرارية السريعة على الخصائص الكهربائية للسيليكون المسامي
Joint Authors
Awwad, Amani A.
Muhammad, Maysaa A.
Khashan, Khawlah S.
Source
Engineering and Technology Journal
Issue
Vol. 27, Issue 04 (30 Mar. 2009), pp.663-674, 12 p.
Publisher
Publication Date
2009-03-30
Country of Publication
Iraq
No. of Pages
12
Main Subjects
Topics
Abstract AR
في هذا البحث تم تحضير السليكون المسامي بواسطة الطريقة الكيميائية في خليط من حامض الهيدروفلوريك و حامض النتريك عند أزمان قشط مختلفة.
ثم معالجة السطح بواسطة عملية الأكسدة الحرارية السريعة عند درجات حرارة و أزمان أكسدة مختلفة لتحسين خصائص النموذج.
أطياف FTIR تبدي الأواصر x = 1)،2 Sihx و (si-o التي تشير إلى تكون الطبقة المسامية للسليكون و تكون طبقة الأوكسيد على السليكون المسامي.
خصائص سعة-فولتية تعطي كثافة الحاملات cm-3 1015*36 للعينة عند زمن قشط 2 min، بينما تتغير من45.7 * 1015 cm) إلى 37.8 * 1015 cm-3) لنماذج مؤكسدة عند درجات حرارة مختلفة K (373-973)، و تتغير من38.2 * 1015cm-3) إلى 40 * 1015cm-3) لنماذج مؤكسدة عند أزمان أكسدة مختلفة min (0.5-3.5).
أيضا المسامية تكون (45.56 %) للسليكون المسامي عند زمن قشط min 2 بينما تقل من (45 %) إلى (35.4 %) مع تغير درجات حرارة الأكسدة، و تتغير من (44.2 %) إلى (40.5 %) مع تغير أزمان الأكسدة.
من خصائص التيار الضوئي، أفضل استجابية للسليكون المسامي عند زمن قشط min 2 كانت A / W 0.2545 عند nm 370، و زادت بعد الأكسدة الحرارية السريعة من (0.34A / w إلى 0.44 A / w) مع درجات أكسدة مختلفة، و تغيرت من (0.35A / w إلى 0.34 A / w) مع أزمان أكسدة مختلفة، لذا فالتركيب يبدي كفاءة جيدة للدايودات الضوئية.
Abstract EN
In this work, the porous silicon was prepared by using stain etching in HF-HNO3 at different etching times.
Then Rapid Thermal Oxidation (RTO) processes were used for surface treatment at different temperature and oxidation time to enhancement sample properties.
Fourier Transforms infrared (FTIR) spectrum exhibit the formation of SiHx (x = 1, 2) and Si-O bonds which indicate the present of porous structure and formation of oxidation porous layer.
The Capacitance – Voltage characteristics reveal that effective carrier density is 36 * 1015 cm-3 for sample etching time at 2min, while there was a change from (37.8 * 1015 to 45.7 * 1015) cm-3 for sample oxidation at different oxidation temperature (373–973) K and from (38.2 * 1015 to 40 * 1015) cm-3 for sample oxidation at different oxidation time (0.5–3.5) min.
Also the porosity was (45.56 %) for PS / p-Si etching at 2min while reduce from (45 % to 35.4 %) with oxidation temperature, and from (44.2 % to 40.5 %) with oxidation time.
From photocurrent characterized, that the photosensitivity for PS / p-Si structure is better where etching time at 2min, and its 0.2545 A/W at 370nm, and it increased after Rapid Thermal Oxidation (RTO) from (0.34 to 0.44) A / W with different oxidation temperature, and changed from (0.35 to 0.34) A / W with different oxidation time, so that sandwich hetrojunction exhibit good efficiency photodiode.
American Psychological Association (APA)
Khashan, Khawlah S.& Awwad, Amani A.& Muhammad, Maysaa A.. 2009. Effect on rapid thermal oxidation process on electrical properties of porous silicon. Engineering and Technology Journal،Vol. 27, no. 04, pp.663-674.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-49763
Modern Language Association (MLA)
Khashan, Khawlah S.…[et al.]. Effect on rapid thermal oxidation process on electrical properties of porous silicon. Engineering and Technology Journal Vol. 27, no. 04 (2009), pp.663-674.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-49763
American Medical Association (AMA)
Khashan, Khawlah S.& Awwad, Amani A.& Muhammad, Maysaa A.. Effect on rapid thermal oxidation process on electrical properties of porous silicon. Engineering and Technology Journal. 2009. Vol. 27, no. 04, pp.663-674.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-49763
Data Type
Journal Articles
Language
English
Notes
Includes bibliographical references : p. 666
Record ID
BIM-49763