Effect of treatments on thermally stimulated current and photoconductivity in cuinse2 thin films

Abstract EN

CuInSe2 polycrystalline thin films (CIS) have been prepared by the coevaporation method from three boats (Cu, In, Se).

“Thermally Stimulated Current” method (TSC) has been used to identify some defect states in the material.

Photocurrent versus 1000/T characteristics have also been carried out.

In this paper, we discuss the effects of O2 and H2 plasmas on (TSC) and photoconductivity in p and n type CuInSe2 thin films.

In fact, strong (TSC) has been exhibited for these films at temperatures from 80 to 500K using coplanar configuration with thermal evaporated Cr-Ag contacts while a stability of photocurrent has been observed.

Exposure to O2 and H2 plasmas modified this behaviour leading to a change of (TSC) way and appearing of the thermal “Quenching” in photoconductivity spectra.

Abstract FRE

Des couches minces polycristallines de CuInSe2 ont été préparées en utilisant la méthode de coévaporation à partir de trois creusets de cuivre, indium et sélénium.

Afin de déterminer les défauts présents dans le matériau, la méthode du “Courant Thermiquement Stimulé” (TSC) a été appliquée.

Les caractéristiques du photocourant en fonction de la température ont aussi été mesurées.

Dans ce travail, les effets du traitement aux plasmas de O2 et de H2 sur le (TSC) et la photoconductivité dans les couches minces de CuInSe2 du type p et n sont étudiées.

En effet, ces couches ont montré un fort (TSC) dans l’intervalle de température allant de 80K à 500K en utilisant la configuration coplanaire et des contacts en Cr-Ag.

Cependant, une stabilité du photocourant été observée.

L’exposition aux plasmas de O2 et de H2 a modifié ce comportement en changeant l’allure du (TSC) et en faisant apparaître un “Quenching” sur les courbes de photoconductivité.