Comportement de la surface du silicium de type n hydrogenee par plasma en milieux aqueux fluores
Joint Authors
Kerbache, T.
Benhaoua, B.
Chari, A.
Source
Sciences et Technologie : Sciences Exactes
Issue
Vol. 2004, Issue 21 (30 Jun. 2004), pp.37-40, 4 p.
Publisher
Publication Date
2004-06-30
Country of Publication
Algeria
No. of Pages
4
Main Subjects
Abstract EN
This work deals with the effect of plasma hydrogenation on the photoelectrochemical properties of the Silicon/HF junction.
In this way we have studied the evolution of the dark current and the flat band potential with plasma hydrogenation conditions.
The results were compared with those of non hydrogenated n type Silicon.
Abstract FRE
Ce travail traite de l'effet de l'hydrogène sur la jonction Silicium /milieux aqueux.
Pour cela, l'étude a porté sur l'effet de l'hydrogène sur le courant à l'obscurité et sur le photocourant ainsi que sur le potentiel de bandes plates.
Pour confirmer le rôle de l'hydrogène, nous avons chargé le silicium de type n par plasma et nous avons étudié le comportement à l’obscurité et sous éclairement de la surface du silicium de type n hydrogéné par plasma.
American Psychological Association (APA)
Kerbache, T.& Benhaoua, B.& Chari, A.. 2004. Comportement de la surface du silicium de type n hydrogenee par plasma en milieux aqueux fluores. Sciences et Technologie : Sciences Exactes،Vol. 2004, no. 21, pp.37-40.
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Modern Language Association (MLA)
Kerbache, T.…[et al.]. Comportement de la surface du silicium de type n hydrogenee par plasma en milieux aqueux fluores. Sciences et Technologie : Sciences Exactes No. 21 (Jun. 2004), pp.37-40.
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American Medical Association (AMA)
Kerbache, T.& Benhaoua, B.& Chari, A.. Comportement de la surface du silicium de type n hydrogenee par plasma en milieux aqueux fluores. Sciences et Technologie : Sciences Exactes. 2004. Vol. 2004, no. 21, pp.37-40.
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Data Type
Journal Articles
Language
French
Notes
Includes bibliographical references : p. 40
Record ID
BIM-540688
