Electronic Structure and Energy Band of IIIA Doped Group ZnO Nanosheets

المؤلفون المشاركون

Feng, Xian-Yang
Wang, Zhe
Zhang, Chang-Wen
Wang, Pei-Ji

المصدر

Journal of Nanomaterials

العدد

المجلد 2013، العدد 2013 (31 ديسمبر/كانون الأول 2013)، ص ص. 1-6، 6ص.

الناشر

Hindawi Publishing Corporation

تاريخ النشر

2013-06-26

دولة النشر

مصر

عدد الصفحات

6

التخصصات الرئيسية

الكيمياء
هندسة مدنية

الملخص EN

The electronic and magnetic properties of IIIA group doped ZnO nanosheets (ZnONSs) are investigated by the first principles.

The results show that the band gap of ZnO nanosheets increases gradually along with Al, Ga, and In ions occupying Zn sites and O sites.

The configuration of Al atoms replacing Zn atoms is more stable than other doped.

The system shows half-metallic characteristics for In-doped ZnO nanosheets.

نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)

Feng, Xian-Yang& Wang, Zhe& Zhang, Chang-Wen& Wang, Pei-Ji. 2013. Electronic Structure and Energy Band of IIIA Doped Group ZnO Nanosheets. Journal of Nanomaterials،Vol. 2013, no. 2013, pp.1-6.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1007342

نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)

Feng, Xian-Yang…[et al.]. Electronic Structure and Energy Band of IIIA Doped Group ZnO Nanosheets. Journal of Nanomaterials No. 2013 (2013), pp.1-6.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1007342

نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)

Feng, Xian-Yang& Wang, Zhe& Zhang, Chang-Wen& Wang, Pei-Ji. Electronic Structure and Energy Band of IIIA Doped Group ZnO Nanosheets. Journal of Nanomaterials. 2013. Vol. 2013, no. 2013, pp.1-6.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1007342

نوع البيانات

مقالات

لغة النص

الإنجليزية

الملاحظات

Includes bibliographical references

رقم السجل

BIM-1007342