Surface Modification on the Sputtering-Deposited ZnO Layer for ZnO-Based Schottky Diode
المؤلفون المشاركون
Chang, Ren-Hao
Yang, Kai-Chao
Chen, Tai-Hong
Lai, Li-Wen
Lee, Tsung-Hsin
Yao, Shiau-Lu
Liu, Day-Shan
المصدر
العدد
المجلد 2013، العدد 2013 (31 ديسمبر/كانون الأول 2013)، ص ص. 1-9، 9ص.
الناشر
Hindawi Publishing Corporation
تاريخ النشر
2013-12-29
دولة النشر
مصر
عدد الصفحات
9
التخصصات الرئيسية
الملخص EN
We prepare a zinc oxide- (ZnO-) based Schottky diode constructed from the transparent cosputtered indium tin oxide- (ITO-) ZnO ohmic contact electrode and Ni/Au Schottky metal.
After optimizing the ohmic contact property and removing the ion-bombardment damages using dilute HCl etching solution, the dilute hydrogen peroxide (H2O2) and ammonium sulfide (NH4)2Sx solutions, respectively, are employed to modify the undoped ZnO layer surface.
Both of the Schottky barrier heights with the ZnO layer surface treated by these two solutions, evaluated from the current-voltage (I-V) and capacitance-voltage (C-V) measurements, are remarkably enhanced as compared to the untreated ZnO-based Schottky diode.
Through the X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) and room-temperature photoluminescence (RTPL) investigations, the compensation effect as evidence of the increases in the O–H and OZn acceptor defects appearing on the ZnO layer surface after treating by the dilute H2O2 solution is responsible for the improvement of the ZnO-based Schottky diode.
By contrast, the enhancement on the Schottky barrier height for the ZnO layer surface treated by using dilute (NH4)2Sx solution is attributed to both the passivation and compensation effects originating from the formation of the Zn–S chemical bond and VZn acceptors.
نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)
Chang, Ren-Hao& Yang, Kai-Chao& Chen, Tai-Hong& Lai, Li-Wen& Lee, Tsung-Hsin& Yao, Shiau-Lu…[et al.]. 2013. Surface Modification on the Sputtering-Deposited ZnO Layer for ZnO-Based Schottky Diode. Journal of Nanomaterials،Vol. 2013, no. 2013, pp.1-9.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1007948
نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)
Chang, Ren-Hao…[et al.]. Surface Modification on the Sputtering-Deposited ZnO Layer for ZnO-Based Schottky Diode. Journal of Nanomaterials No. 2013 (2013), pp.1-9.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1007948
نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)
Chang, Ren-Hao& Yang, Kai-Chao& Chen, Tai-Hong& Lai, Li-Wen& Lee, Tsung-Hsin& Yao, Shiau-Lu…[et al.]. Surface Modification on the Sputtering-Deposited ZnO Layer for ZnO-Based Schottky Diode. Journal of Nanomaterials. 2013. Vol. 2013, no. 2013, pp.1-9.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1007948
نوع البيانات
مقالات
لغة النص
الإنجليزية
الملاحظات
Includes bibliographical references
رقم السجل
BIM-1007948
قاعدة معامل التأثير والاستشهادات المرجعية العربي "ارسيف Arcif"
أضخم قاعدة بيانات عربية للاستشهادات المرجعية للمجلات العلمية المحكمة الصادرة في العالم العربي
تقوم هذه الخدمة بالتحقق من التشابه أو الانتحال في الأبحاث والمقالات العلمية والأطروحات الجامعية والكتب والأبحاث باللغة العربية، وتحديد درجة التشابه أو أصالة الأعمال البحثية وحماية ملكيتها الفكرية. تعرف اكثر