![](/images/graphics-bg.png)
A Study of Parameters Related to the Etch Rate for a Dry Etch Process Using NF3O2 and SF6O2
المؤلفون المشاركون
Oh, Seon-Geun
Park, Kwang-Su
Lee, Young-Jun
Jeon, Jae-Hong
Choe, Hee-Hwan
Seo, Jong-Hyun
المصدر
Advances in Materials Science and Engineering
العدد
المجلد 2014، العدد 2014 (31 ديسمبر/كانون الأول 2014)، ص ص. 1-8، 8ص.
الناشر
Hindawi Publishing Corporation
تاريخ النشر
2014-02-04
دولة النشر
مصر
عدد الصفحات
8
الملخص EN
The characteristics of the dry etching of SiN x :H thin films for display devices using SF6/O2 and NF3/O2 were investigated using a dual-frequency capacitively coupled plasma reactive ion etching (CCP-RIE) system.
The investigation was carried out by varying the RF power ratio (13.56 MHz/2 MHz), pressure, and gas flow ratio.
For the SiN x :H film, the etch rates obtained using NF3/O2 were higher than those obtained using SF6/O2 under various process conditions.
The relationships between the etch rates and the usual monitoring parameters—the optical emission spectroscopy (OES) intensity of atomic fluorine (685.1 nm and 702.89 nm) and the voltages V H and V L —were investigated.
The OES intensity data indicated a correlation between the bulk plasma density and the atomic fluorine density.
The etch rate was proportional to the product of the OES intensity of atomic fluorine ( I ( F ) ) and the square root of the voltages ( V h + V l ) on the assumption that the velocity of the reactive fluorine was proportional to the square root of the voltages.
نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)
Oh, Seon-Geun& Park, Kwang-Su& Lee, Young-Jun& Jeon, Jae-Hong& Choe, Hee-Hwan& Seo, Jong-Hyun. 2014. A Study of Parameters Related to the Etch Rate for a Dry Etch Process Using NF3O2 and SF6O2. Advances in Materials Science and Engineering،Vol. 2014, no. 2014, pp.1-8.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1015750
نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)
Oh, Seon-Geun…[et al.]. A Study of Parameters Related to the Etch Rate for a Dry Etch Process Using NF3O2 and SF6O2. Advances in Materials Science and Engineering No. 2014 (2014), pp.1-8.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1015750
نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)
Oh, Seon-Geun& Park, Kwang-Su& Lee, Young-Jun& Jeon, Jae-Hong& Choe, Hee-Hwan& Seo, Jong-Hyun. A Study of Parameters Related to the Etch Rate for a Dry Etch Process Using NF3O2 and SF6O2. Advances in Materials Science and Engineering. 2014. Vol. 2014, no. 2014, pp.1-8.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1015750
نوع البيانات
مقالات
لغة النص
الإنجليزية
الملاحظات
Includes bibliographical references
رقم السجل
BIM-1015750
قاعدة معامل التأثير والاستشهادات المرجعية العربي "ارسيف Arcif"
أضخم قاعدة بيانات عربية للاستشهادات المرجعية للمجلات العلمية المحكمة الصادرة في العالم العربي
![](/images/ebook-kashef.png)
تقوم هذه الخدمة بالتحقق من التشابه أو الانتحال في الأبحاث والمقالات العلمية والأطروحات الجامعية والكتب والأبحاث باللغة العربية، وتحديد درجة التشابه أو أصالة الأعمال البحثية وحماية ملكيتها الفكرية. تعرف اكثر
![](/images/kashef-image.png)