Improvement of Homogeneity and Aspect Ratio of Silicon Tips for Field Emission by Reactive-Ion Etching
المؤلفون المشاركون
Lawrowski, Robert Damian
Prommesberger, Christian
Langer, Christoph
Dams, Florian
Schreiner, Rupert
المصدر
Advances in Materials Science and Engineering
العدد
المجلد 2014، العدد 2014 (31 ديسمبر/كانون الأول 2014)، ص ص. 1-6، 6ص.
الناشر
Hindawi Publishing Corporation
تاريخ النشر
2014-04-06
دولة النشر
مصر
عدد الصفحات
6
الملخص EN
The homogeneity of emitters is very important for the performance of field emission (FE) devices.
Reactive-ion etching (RIE) and oxidation have significant influences on the geometry of silicon tips.
The RIE influences mainly the anisotropy of the emitters.
Pressure has a strong impact on the anisotropic factor.
Reducing the pressure results in a higher anisotropy, but the etch rate is also lower.
A longer time of etching compensates this effect.
Furthermore an improvement of homogeneity was observed.
The impact of uprating is quite low for the anisotropic factor, but significant for the homogeneity.
At low power the height and undercut of the emitters are more constant over the whole wafer.
The oxidation itself is very homogeneous and has no observable effect on further variation of the homogeneity.
This modified fabrication process allows solving the problem of inhomogeneity of previous field emission arrays.
نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)
Lawrowski, Robert Damian& Prommesberger, Christian& Langer, Christoph& Dams, Florian& Schreiner, Rupert. 2014. Improvement of Homogeneity and Aspect Ratio of Silicon Tips for Field Emission by Reactive-Ion Etching. Advances in Materials Science and Engineering،Vol. 2014, no. 2014, pp.1-6.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1015916
نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)
Lawrowski, Robert Damian…[et al.]. Improvement of Homogeneity and Aspect Ratio of Silicon Tips for Field Emission by Reactive-Ion Etching. Advances in Materials Science and Engineering No. 2014 (2014), pp.1-6.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1015916
نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)
Lawrowski, Robert Damian& Prommesberger, Christian& Langer, Christoph& Dams, Florian& Schreiner, Rupert. Improvement of Homogeneity and Aspect Ratio of Silicon Tips for Field Emission by Reactive-Ion Etching. Advances in Materials Science and Engineering. 2014. Vol. 2014, no. 2014, pp.1-6.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1015916
نوع البيانات
مقالات
لغة النص
الإنجليزية
الملاحظات
Includes bibliographical references
رقم السجل
BIM-1015916
قاعدة معامل التأثير والاستشهادات المرجعية العربي "ارسيف Arcif"
أضخم قاعدة بيانات عربية للاستشهادات المرجعية للمجلات العلمية المحكمة الصادرة في العالم العربي
تقوم هذه الخدمة بالتحقق من التشابه أو الانتحال في الأبحاث والمقالات العلمية والأطروحات الجامعية والكتب والأبحاث باللغة العربية، وتحديد درجة التشابه أو أصالة الأعمال البحثية وحماية ملكيتها الفكرية. تعرف اكثر