![](/images/graphics-bg.png)
GaN Schottky Diode with TiW Electrodes on Silicon Substrate Based on AlNAlGaN Buffer Layer
المؤلف
المصدر
العدد
المجلد 2012، العدد 2012 (31 ديسمبر/كانون الأول 2012)، ص ص. 1-5، 5ص.
الناشر
Hindawi Publishing Corporation
تاريخ النشر
2012-12-25
دولة النشر
مصر
عدد الصفحات
5
التخصصات الرئيسية
الملخص EN
We report the fabrication of GaN Schottky photodiodes (PDs) on Si(111) substrates coated with an AlN/AlGaN buffer multilayer.
It was found that their dark current was much smaller than that of identical devices prepared on sapphire substrates.
With an incident wavelength of 359 nm, the maximum responsivity of the n−-GaN Schottky photodetectors with TiW contact electrodes was 0.1544 A/W, corresponding to a quantum efficiency of 53.4%.
For a given bandwidth of 1 kHz and bias of 5 V, the resultant noise equivalent power (NEP) of n−-GaN Schottky photodetectors with TiW electrodes was 1.033×10-12 W, corresponding to a detectivity (D*) of 1.079×1012 cm-Hz0.5 W−1.
نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)
Chang, Sheng-Po. 2012. GaN Schottky Diode with TiW Electrodes on Silicon Substrate Based on AlNAlGaN Buffer Layer. Journal of Nanomaterials،Vol. 2012, no. 2012, pp.1-5.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1029218
نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)
Chang, Sheng-Po. GaN Schottky Diode with TiW Electrodes on Silicon Substrate Based on AlNAlGaN Buffer Layer. Journal of Nanomaterials No. 2012 (2012), pp.1-5.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1029218
نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)
Chang, Sheng-Po. GaN Schottky Diode with TiW Electrodes on Silicon Substrate Based on AlNAlGaN Buffer Layer. Journal of Nanomaterials. 2012. Vol. 2012, no. 2012, pp.1-5.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1029218
نوع البيانات
مقالات
لغة النص
الإنجليزية
الملاحظات
Includes bibliographical references
رقم السجل
BIM-1029218
قاعدة معامل التأثير والاستشهادات المرجعية العربي "ارسيف Arcif"
أضخم قاعدة بيانات عربية للاستشهادات المرجعية للمجلات العلمية المحكمة الصادرة في العالم العربي
![](/images/ebook-kashef.png)
تقوم هذه الخدمة بالتحقق من التشابه أو الانتحال في الأبحاث والمقالات العلمية والأطروحات الجامعية والكتب والأبحاث باللغة العربية، وتحديد درجة التشابه أو أصالة الأعمال البحثية وحماية ملكيتها الفكرية. تعرف اكثر
![](/images/kashef-image.png)