The Effects of Annealing Parameters on the Crystallization and Morphology of Cu(In,Ga)Se2 Absorber Layers Prepared by Annealing Stacked Metallic Precursors
المؤلفون المشاركون
Huang, Chia-Ho
Wen, Dong-Cherng
المصدر
International Journal of Photoenergy
العدد
المجلد 2014، العدد 2014 (31 ديسمبر/كانون الأول 2014)، ص ص. 1-8، 8ص.
الناشر
Hindawi Publishing Corporation
تاريخ النشر
2014-06-11
دولة النشر
مصر
عدد الصفحات
8
التخصصات الرئيسية
الملخص EN
CIGS films are prepared by single-stage annealing of the solid Se-coated In/Cu-Ga bilayer precursor.
The annealing processes were performed using various Ar pressures, heating rates, and soaking times.
A higher Ar pressure is needed to fabricate highly crystalline CIGS films, as no extra Se-vapor source is supplied.
As the heating rate increases, the surface morphologies of the CIGS films become looser and some cracks are observed.
However, the influence of soaking time is insignificant and the selenization process only requires a short time when the precursors are selenized at a higher temperature with a lower heating rate and a higher Ar pressure.
In this study, a dense chalcopyrite CIGS film with a thickness of about 1.5-1.6 μm, with large grains (~1.2 μm) and no cracking or peeling is obtained after selenizing at a temperature of 550°C, an Ar pressure of 300 Torr, a heating rate of 60°C/min, and a soaking time of 20 min.
By adequate design of the stacked precursor and controlling the annealing parameters, single-stage annealing of the solid Se-coated In/Cu-Ga bilayer precursor is simplified for the fabrication of a fully crystallized chalcopyrite CIGS absorber layers with good crystallization and large grains.
نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)
Huang, Chia-Ho& Wen, Dong-Cherng. 2014. The Effects of Annealing Parameters on the Crystallization and Morphology of Cu(In,Ga)Se2 Absorber Layers Prepared by Annealing Stacked Metallic Precursors. International Journal of Photoenergy،Vol. 2014, no. 2014, pp.1-8.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1037168
نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)
Huang, Chia-Ho& Wen, Dong-Cherng. The Effects of Annealing Parameters on the Crystallization and Morphology of Cu(In,Ga)Se2 Absorber Layers Prepared by Annealing Stacked Metallic Precursors. International Journal of Photoenergy No. 2014 (2014), pp.1-8.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1037168
نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)
Huang, Chia-Ho& Wen, Dong-Cherng. The Effects of Annealing Parameters on the Crystallization and Morphology of Cu(In,Ga)Se2 Absorber Layers Prepared by Annealing Stacked Metallic Precursors. International Journal of Photoenergy. 2014. Vol. 2014, no. 2014, pp.1-8.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1037168
نوع البيانات
مقالات
لغة النص
الإنجليزية
الملاحظات
Includes bibliographical references
رقم السجل
BIM-1037168
قاعدة معامل التأثير والاستشهادات المرجعية العربي "ارسيف Arcif"
أضخم قاعدة بيانات عربية للاستشهادات المرجعية للمجلات العلمية المحكمة الصادرة في العالم العربي
تقوم هذه الخدمة بالتحقق من التشابه أو الانتحال في الأبحاث والمقالات العلمية والأطروحات الجامعية والكتب والأبحاث باللغة العربية، وتحديد درجة التشابه أو أصالة الأعمال البحثية وحماية ملكيتها الفكرية. تعرف اكثر