Void Shapes Controlled by Using Interruption-Free Epitaxial Lateral Overgrowth of GaN Films on Patterned SiO 2 AlNSapphire Template
المؤلفون المشاركون
Chen, Yu-An
Kuo, Cheng-Huang
Chang, Li-Chuan
Wu, Ji-Pu
المصدر
International Journal of Photoenergy
العدد
المجلد 2014، العدد 2014 (31 ديسمبر/كانون الأول 2014)، ص ص. 1-8، 8ص.
الناشر
Hindawi Publishing Corporation
تاريخ النشر
2014-06-18
دولة النشر
مصر
عدد الصفحات
8
التخصصات الرئيسية
الملخص EN
GaN epitaxial layers with embedded air voids grown on patterned SiO2 AlN/sapphire templates were proposed.
Using interruption-free epitaxial lateral overgrowth technology, we realized uninterrupted growth and controlled the shape of embedded air voids.
These layers showed improved crystal quality using X-ray diffraction and measurement of etching pits density.
Compared with conventional undoped-GaN film, the full width at half-maximum of the GaN (0 0 2) and (1 0 2) peaks decreased from 485 arcsec to 376 arcsec and from 600 arcsec to 322 arcsec, respectively.
Transmission electron microscopy results showed that the coalesced GaN growth led to bending threading dislocation.
We also proposed a growth model based on results of scanning electron microscopy.
نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)
Chen, Yu-An& Kuo, Cheng-Huang& Chang, Li-Chuan& Wu, Ji-Pu. 2014. Void Shapes Controlled by Using Interruption-Free Epitaxial Lateral Overgrowth of GaN Films on Patterned SiO 2 AlNSapphire Template. International Journal of Photoenergy،Vol. 2014, no. 2014, pp.1-8.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1039632
نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)
Chen, Yu-An…[et al.]. Void Shapes Controlled by Using Interruption-Free Epitaxial Lateral Overgrowth of GaN Films on Patterned SiO 2 AlNSapphire Template. International Journal of Photoenergy No. 2014 (2014), pp.1-8.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1039632
نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)
Chen, Yu-An& Kuo, Cheng-Huang& Chang, Li-Chuan& Wu, Ji-Pu. Void Shapes Controlled by Using Interruption-Free Epitaxial Lateral Overgrowth of GaN Films on Patterned SiO 2 AlNSapphire Template. International Journal of Photoenergy. 2014. Vol. 2014, no. 2014, pp.1-8.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1039632
نوع البيانات
مقالات
لغة النص
الإنجليزية
الملاحظات
Includes bibliographical references
رقم السجل
BIM-1039632
قاعدة معامل التأثير والاستشهادات المرجعية العربي "ارسيف Arcif"
أضخم قاعدة بيانات عربية للاستشهادات المرجعية للمجلات العلمية المحكمة الصادرة في العالم العربي
تقوم هذه الخدمة بالتحقق من التشابه أو الانتحال في الأبحاث والمقالات العلمية والأطروحات الجامعية والكتب والأبحاث باللغة العربية، وتحديد درجة التشابه أو أصالة الأعمال البحثية وحماية ملكيتها الفكرية. تعرف اكثر