Temperature Effects on a-IGZO Thin Film Transistors Using HfO2 Gate Dielectric Material
المؤلفون المشاركون
المصدر
العدد
المجلد 2014، العدد 2014 (31 ديسمبر/كانون الأول 2014)، ص ص. 1-5، 5ص.
الناشر
Hindawi Publishing Corporation
تاريخ النشر
2014-07-06
دولة النشر
مصر
عدد الصفحات
5
التخصصات الرئيسية
الملخص EN
This study investigated the temperature effect on amorphous indium gallium zinc oxide (a-IGZO) thin film transistors (TFTs) using hafnium oxide (HfO2) gate dielectric material.
HfO2 is an attractive candidate as a high-κ dielectric material for gate oxide because it has great potential to exhibit superior electrical properties with a high drive current.
In the process of integrating the gate dielectric and IGZO thin film, postannealing treatment is an essential process for completing the chemical reaction of the IGZO thin film and enhancing the gate oxide quality to adjust the electrical characteristics of the TFTs.
However, the hafnium atom diffused the IGZO thin film, causing interface roughness because of the stability of the HfO2 dielectric thin film during high-temperature annealing.
In this study, the annealing temperature was optimized at 200°C for a HfO2 gate dielectric TFT exhibiting high mobility, a high I O N / I O F F ratio, low I O F F current, and excellent subthreshold swing (SS).
نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)
Lin, Yu-Hsien& Chou, Jay-Chi. 2014. Temperature Effects on a-IGZO Thin Film Transistors Using HfO2 Gate Dielectric Material. Journal of Nanomaterials،Vol. 2014, no. 2014, pp.1-5.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1041411
نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)
Lin, Yu-Hsien& Chou, Jay-Chi. Temperature Effects on a-IGZO Thin Film Transistors Using HfO2 Gate Dielectric Material. Journal of Nanomaterials No. 2014 (2014), pp.1-5.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1041411
نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)
Lin, Yu-Hsien& Chou, Jay-Chi. Temperature Effects on a-IGZO Thin Film Transistors Using HfO2 Gate Dielectric Material. Journal of Nanomaterials. 2014. Vol. 2014, no. 2014, pp.1-5.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1041411
نوع البيانات
مقالات
لغة النص
الإنجليزية
الملاحظات
Includes bibliographical references
رقم السجل
BIM-1041411
قاعدة معامل التأثير والاستشهادات المرجعية العربي "ارسيف Arcif"
أضخم قاعدة بيانات عربية للاستشهادات المرجعية للمجلات العلمية المحكمة الصادرة في العالم العربي
تقوم هذه الخدمة بالتحقق من التشابه أو الانتحال في الأبحاث والمقالات العلمية والأطروحات الجامعية والكتب والأبحاث باللغة العربية، وتحديد درجة التشابه أو أصالة الأعمال البحثية وحماية ملكيتها الفكرية. تعرف اكثر