AlGaNGaN High Electron Mobility Transistors with Multi-MgxNyGaN Buffer
المؤلفون المشاركون
Chang, Shoou-Jinn
Chang, P. C.
Lee, K. H.
Wang, Z. H.
المصدر
العدد
المجلد 2014، العدد 2014 (31 ديسمبر/كانون الأول 2014)، ص ص. 1-4، 4ص.
الناشر
Hindawi Publishing Corporation
تاريخ النشر
2014-07-20
دولة النشر
مصر
عدد الصفحات
4
التخصصات الرئيسية
الملخص EN
We report the fabrication of AlGaN/GaN high electron mobility transistors with multi-MgxNy/GaN buffer.
Compared with conventional HEMT devices with a low-temperature GaN buffer, smaller gate and source-drain leakage current could be achieved with this new buffer design.
Consequently, the electron mobility was larger for the proposed device due to the reduction of defect density and the corresponding improvement of crystalline quality as result of using the multi-MgxNy/GaN buffer.
نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)
Chang, P. C.& Lee, K. H.& Wang, Z. H.& Chang, Shoou-Jinn. 2014. AlGaNGaN High Electron Mobility Transistors with Multi-MgxNyGaN Buffer. Journal of Nanomaterials،Vol. 2014, no. 2014, pp.1-4.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1041691
نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)
Chang, P. C.…[et al.]. AlGaNGaN High Electron Mobility Transistors with Multi-MgxNyGaN Buffer. Journal of Nanomaterials No. 2014 (2014), pp.1-4.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1041691
نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)
Chang, P. C.& Lee, K. H.& Wang, Z. H.& Chang, Shoou-Jinn. AlGaNGaN High Electron Mobility Transistors with Multi-MgxNyGaN Buffer. Journal of Nanomaterials. 2014. Vol. 2014, no. 2014, pp.1-4.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1041691
نوع البيانات
مقالات
لغة النص
الإنجليزية
الملاحظات
Includes bibliographical references
رقم السجل
BIM-1041691
قاعدة معامل التأثير والاستشهادات المرجعية العربي "ارسيف Arcif"
أضخم قاعدة بيانات عربية للاستشهادات المرجعية للمجلات العلمية المحكمة الصادرة في العالم العربي
تقوم هذه الخدمة بالتحقق من التشابه أو الانتحال في الأبحاث والمقالات العلمية والأطروحات الجامعية والكتب والأبحاث باللغة العربية، وتحديد درجة التشابه أو أصالة الأعمال البحثية وحماية ملكيتها الفكرية. تعرف اكثر