Resistive Switching Characteristics of a SiO x Layer with CF 4 Plasma Treatment
المؤلفون المشاركون
Liu, Chih-Yi
Tsai, Yueh-Ying
Fang, Wen-Tsung
Wang, Hung-Yu
المصدر
العدد
المجلد 2014، العدد 2014 (31 ديسمبر/كانون الأول 2014)، ص ص. 1-5، 5ص.
الناشر
Hindawi Publishing Corporation
تاريخ النشر
2014-03-11
دولة النشر
مصر
عدد الصفحات
5
التخصصات الرئيسية
الملخص EN
A 20 nm SiOx layer is deposited using radio-frequency sputtering to form the resistive switching layer of a Cu/SiO x/Pt memory device.
The SiO x-based device demonstrates the resistive switching characteristics with an electrochemical reaction.
CF4 plasma treatment was used to modify the SiOx layer and incorporate fluorine atoms into the SiO x layer.
The bombardment damage and fluorine incorporation caused the SiO x film to form a stack-like structure.
This reduced the operating voltage and improved switching dispersion.
The fluorine repaired the Cu/SiO x interface, thus increasing the barrier height of the Cu/SiO x interface and the resistance of the high resistance state.
A statistical analysis of the conducting filament formation was performed in order to evaluate the number of formation/rupture sites.
The resistive switching of the CF4-treated sample had higher possibility to use the same filament sites; thus, the CF4-treated sample had stable resistive switching behavior.
نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)
Liu, Chih-Yi& Tsai, Yueh-Ying& Fang, Wen-Tsung& Wang, Hung-Yu. 2014. Resistive Switching Characteristics of a SiO x Layer with CF 4 Plasma Treatment. Journal of Nanomaterials،Vol. 2014, no. 2014, pp.1-5.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1041821
نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)
Liu, Chih-Yi…[et al.]. Resistive Switching Characteristics of a SiO x Layer with CF 4 Plasma Treatment. Journal of Nanomaterials No. 2014 (2014), pp.1-5.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1041821
نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)
Liu, Chih-Yi& Tsai, Yueh-Ying& Fang, Wen-Tsung& Wang, Hung-Yu. Resistive Switching Characteristics of a SiO x Layer with CF 4 Plasma Treatment. Journal of Nanomaterials. 2014. Vol. 2014, no. 2014, pp.1-5.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1041821
نوع البيانات
مقالات
لغة النص
الإنجليزية
الملاحظات
Includes bibliographical references
رقم السجل
BIM-1041821
قاعدة معامل التأثير والاستشهادات المرجعية العربي "ارسيف Arcif"
أضخم قاعدة بيانات عربية للاستشهادات المرجعية للمجلات العلمية المحكمة الصادرة في العالم العربي
تقوم هذه الخدمة بالتحقق من التشابه أو الانتحال في الأبحاث والمقالات العلمية والأطروحات الجامعية والكتب والأبحاث باللغة العربية، وتحديد درجة التشابه أو أصالة الأعمال البحثية وحماية ملكيتها الفكرية. تعرف اكثر