Investigation of Low-Frequency Noise Characterization of 28-nm High-k pMOSFET with Embedded SiGe SourceDrain
المؤلفون المشاركون
Tsai, Shih-Chang
Wu, San-Lein
Chen, Jone-Fang
Wang, Bo-Chin
Huang, Po Chin
Tsai, Kai-Shiang
Kao, Tsung-Hsien
Yang, Chih-Wei
Chen, Cheng-Guo
Lo, Kun-Yuan
Cheng, Osbert
Fang, Yean-Kuen
المصدر
العدد
المجلد 2014، العدد 2014 (31 ديسمبر/كانون الأول 2014)، ص ص. 1-6، 6ص.
الناشر
Hindawi Publishing Corporation
تاريخ النشر
2014-03-30
دولة النشر
مصر
عدد الصفحات
6
التخصصات الرئيسية
الملخص EN
We have studied the low-frequency noise characterizations in 28-nm high-k (HK) pMOSFET with embedded SiGe source/drain (S/D) through 1 / f noise and random telegraph noise measurements simultaneously.
It is found that uniaxial compressive strain really existed in HK pMOSFET with embedded SiGe S/D.
The compressive strain induced the decrease in the tunneling attenuation length reflecting in the oxide trap depth from Si/SiO2 interface to the HK layer, so that the oxide traps at a distance from insulator/semiconductor interface cannot capture carrier in the channel.
Consequently, lower 1 / f noise level in HK pMOSFET with embedded SiGe S/D is observed, thanks to the less carrier fluctuations from trapping/detrapping behaviors.
This result represents an intrinsic benefit of HK pMOSFET using embedded SiGe S/D in low-frequency noise characteristics.
نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)
Tsai, Shih-Chang& Wu, San-Lein& Chen, Jone-Fang& Wang, Bo-Chin& Huang, Po Chin& Tsai, Kai-Shiang…[et al.]. 2014. Investigation of Low-Frequency Noise Characterization of 28-nm High-k pMOSFET with Embedded SiGe SourceDrain. Journal of Nanomaterials،Vol. 2014, no. 2014, pp.1-6.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1041902
نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)
Tsai, Shih-Chang…[et al.]. Investigation of Low-Frequency Noise Characterization of 28-nm High-k pMOSFET with Embedded SiGe SourceDrain. Journal of Nanomaterials No. 2014 (2014), pp.1-6.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1041902
نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)
Tsai, Shih-Chang& Wu, San-Lein& Chen, Jone-Fang& Wang, Bo-Chin& Huang, Po Chin& Tsai, Kai-Shiang…[et al.]. Investigation of Low-Frequency Noise Characterization of 28-nm High-k pMOSFET with Embedded SiGe SourceDrain. Journal of Nanomaterials. 2014. Vol. 2014, no. 2014, pp.1-6.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1041902
نوع البيانات
مقالات
لغة النص
الإنجليزية
الملاحظات
Includes bibliographical references
رقم السجل
BIM-1041902
قاعدة معامل التأثير والاستشهادات المرجعية العربي "ارسيف Arcif"
أضخم قاعدة بيانات عربية للاستشهادات المرجعية للمجلات العلمية المحكمة الصادرة في العالم العربي
تقوم هذه الخدمة بالتحقق من التشابه أو الانتحال في الأبحاث والمقالات العلمية والأطروحات الجامعية والكتب والأبحاث باللغة العربية، وتحديد درجة التشابه أو أصالة الأعمال البحثية وحماية ملكيتها الفكرية. تعرف اكثر