![](/images/graphics-bg.png)
Analysis of Low Dimensional Nanoscaled Inversion-Mode InGaAs MOSFETs for Next-Generation Electrical and Photonic Applications
المؤلفون المشاركون
Yu, Chen-hui
Liu, Pei-sheng
Chen, X. Y.
Luo, X. D.
Xu, W. W.
المصدر
Advances in Condensed Matter Physics
العدد
المجلد 2015، العدد 2015 (31 ديسمبر/كانون الأول 2015)، ص ص. 1-6، 6ص.
الناشر
Hindawi Publishing Corporation
تاريخ النشر
2015-03-22
دولة النشر
مصر
عدد الصفحات
6
التخصصات الرئيسية
الملخص EN
The electrical characteristics of In0.53Ga0.47As MOSFET grown with Si interface passivation layer (IPL) and high k gate oxide HfO2 layer have been investigated in detail.
The influences of Si IPL thickness, gate oxide HfO2 thickness, the doping depth, and concentration of source and drain layer on output and transfer characteristics of the MOSFET at fixed gate or drain voltages have been individually simulated and analyzed.
The determination of the above parameters is suggested based on their effect on maximum drain current, leakage current, saturated voltage, and so forth.
It is found that the channel length decreases with the increase of the maximum drain current and leakage current simultaneously.
Short channel effects start to appear when the channel length is less than 0.9 μm and experience sudden sharp increases which make device performance degrade and reach their operating limits when the channel length is further lessened down to 0.5 μm.
The results demonstrate the usefulness of short channel simulations for designs and optimization of next-generation electrical and photonic devices.
نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)
Yu, Chen-hui& Chen, X. Y.& Luo, X. D.& Xu, W. W.& Liu, Pei-sheng. 2015. Analysis of Low Dimensional Nanoscaled Inversion-Mode InGaAs MOSFETs for Next-Generation Electrical and Photonic Applications. Advances in Condensed Matter Physics،Vol. 2015, no. 2015, pp.1-6.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1052260
نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)
Yu, Chen-hui…[et al.]. Analysis of Low Dimensional Nanoscaled Inversion-Mode InGaAs MOSFETs for Next-Generation Electrical and Photonic Applications. Advances in Condensed Matter Physics No. 2015 (2015), pp.1-6.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1052260
نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)
Yu, Chen-hui& Chen, X. Y.& Luo, X. D.& Xu, W. W.& Liu, Pei-sheng. Analysis of Low Dimensional Nanoscaled Inversion-Mode InGaAs MOSFETs for Next-Generation Electrical and Photonic Applications. Advances in Condensed Matter Physics. 2015. Vol. 2015, no. 2015, pp.1-6.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1052260
نوع البيانات
مقالات
لغة النص
الإنجليزية
الملاحظات
Includes bibliographical references
رقم السجل
BIM-1052260
قاعدة معامل التأثير والاستشهادات المرجعية العربي "ارسيف Arcif"
أضخم قاعدة بيانات عربية للاستشهادات المرجعية للمجلات العلمية المحكمة الصادرة في العالم العربي
![](/images/ebook-kashef.png)
تقوم هذه الخدمة بالتحقق من التشابه أو الانتحال في الأبحاث والمقالات العلمية والأطروحات الجامعية والكتب والأبحاث باللغة العربية، وتحديد درجة التشابه أو أصالة الأعمال البحثية وحماية ملكيتها الفكرية. تعرف اكثر
![](/images/kashef-image.png)