High-Electron-Mobility SiGe on Sapphire Substrate for Fast Chipsets
المؤلفون المشاركون
Kim, Hyun Jung
Park, Yeonjoon
Bae, Hyung Bin
Choi, Sang H.
المصدر
Advances in Condensed Matter Physics
العدد
المجلد 2015، العدد 2015 (31 ديسمبر/كانون الأول 2015)، ص ص. 1-9، 9ص.
الناشر
Hindawi Publishing Corporation
تاريخ النشر
2015-04-23
دولة النشر
مصر
عدد الصفحات
9
التخصصات الرئيسية
الملخص EN
High-quality strain-relaxed SiGe films with a low twin defect density, high electron mobility, and smooth surface are critical for device fabrication to achieve designed performance.
The mobilities of SiGe can be a few times higher than those of silicon due to the content of high carrier mobilities of germanium (p-type Si: 430 cm2/V·s, p-type Ge: 2200 cm2/V·s, n-type Si: 1300 cm2/V·s, and n-type Ge: 3000 cm2/V·s at 1016 per cm3 doping density).
Therefore, radio frequency devices which are made with rhombohedral SiGe on c-plane sapphire can potentially run a few times faster than RF devices on SOS wafers.
NASA Langley has successfully grown highly ordered single crystal rhombohedral epitaxy using an atomic alignment of the [111] direction of cubic SiGe on top of the [0001] direction of the sapphire basal plane.
Several samples of rhombohedrally grown SiGe on c-plane sapphire show high percentage of a single crystalline over 95% to 99.5%.
The electron mobilities of the tested samples are between those of single crystals Si and Ge.
The measured electron mobility of 95% single crystal SiGe was 1538 cm2/V·s which is between 350 cm2/V·s (Si) and 1550 cm2/V·s (Ge) at 6 × 1017/cm3 doping concentration.
نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)
Kim, Hyun Jung& Park, Yeonjoon& Bae, Hyung Bin& Choi, Sang H.. 2015. High-Electron-Mobility SiGe on Sapphire Substrate for Fast Chipsets. Advances in Condensed Matter Physics،Vol. 2015, no. 2015, pp.1-9.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1052311
نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)
Kim, Hyun Jung…[et al.]. High-Electron-Mobility SiGe on Sapphire Substrate for Fast Chipsets. Advances in Condensed Matter Physics No. 2015 (2015), pp.1-9.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1052311
نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)
Kim, Hyun Jung& Park, Yeonjoon& Bae, Hyung Bin& Choi, Sang H.. High-Electron-Mobility SiGe on Sapphire Substrate for Fast Chipsets. Advances in Condensed Matter Physics. 2015. Vol. 2015, no. 2015, pp.1-9.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1052311
نوع البيانات
مقالات
لغة النص
الإنجليزية
الملاحظات
Includes bibliographical references
رقم السجل
BIM-1052311
قاعدة معامل التأثير والاستشهادات المرجعية العربي "ارسيف Arcif"
أضخم قاعدة بيانات عربية للاستشهادات المرجعية للمجلات العلمية المحكمة الصادرة في العالم العربي
تقوم هذه الخدمة بالتحقق من التشابه أو الانتحال في الأبحاث والمقالات العلمية والأطروحات الجامعية والكتب والأبحاث باللغة العربية، وتحديد درجة التشابه أو أصالة الأعمال البحثية وحماية ملكيتها الفكرية. تعرف اكثر