Anomalous DIBL Effect in Fully Depleted SOI MOSFETs Using Nanoscale Gate-Recessed Channel Process
المؤلفون المشاركون
Chelly, Avraham
Karsenty, Avraham
المصدر
Active and Passive Electronic Components
العدد
المجلد 2015، العدد 2015 (31 ديسمبر/كانون الأول 2015)، ص ص. 1-5، 5ص.
الناشر
Hindawi Publishing Corporation
تاريخ النشر
2015-10-28
دولة النشر
مصر
عدد الصفحات
5
التخصصات الرئيسية
الملخص EN
Nanoscale Gate-Recessed Channel (GRC) Fully Depleted- (FD-) SOI MOSFET device with a silicon channel thickness (tSi) as low as 2.2 nm was first tested at room temperature for functionality check and then tested at low temperature (77 K) for I-V characterizations.
In spite of its FD-SOI nanoscale thickness and long channel feature, the device has surprisingly exhibited a Drain-Induced Barrier Lowering (DIBL) effect at RT.
However, this effect was suppressed at 77 K.
If the apparition of such anomalous effect can be explained by a parasitic short channel transistor located at the edges of the channel, its suppression is explained by the decrease of the potential barrier between the drain and the channel when lowering the temperature.
نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)
Karsenty, Avraham& Chelly, Avraham. 2015. Anomalous DIBL Effect in Fully Depleted SOI MOSFETs Using Nanoscale Gate-Recessed Channel Process. Active and Passive Electronic Components،Vol. 2015, no. 2015, pp.1-5.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1053833
نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)
Karsenty, Avraham& Chelly, Avraham. Anomalous DIBL Effect in Fully Depleted SOI MOSFETs Using Nanoscale Gate-Recessed Channel Process. Active and Passive Electronic Components No. 2015 (2015), pp.1-5.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1053833
نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)
Karsenty, Avraham& Chelly, Avraham. Anomalous DIBL Effect in Fully Depleted SOI MOSFETs Using Nanoscale Gate-Recessed Channel Process. Active and Passive Electronic Components. 2015. Vol. 2015, no. 2015, pp.1-5.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1053833
نوع البيانات
مقالات
لغة النص
الإنجليزية
الملاحظات
Includes bibliographical references
رقم السجل
BIM-1053833
قاعدة معامل التأثير والاستشهادات المرجعية العربي "ارسيف Arcif"
أضخم قاعدة بيانات عربية للاستشهادات المرجعية للمجلات العلمية المحكمة الصادرة في العالم العربي
تقوم هذه الخدمة بالتحقق من التشابه أو الانتحال في الأبحاث والمقالات العلمية والأطروحات الجامعية والكتب والأبحاث باللغة العربية، وتحديد درجة التشابه أو أصالة الأعمال البحثية وحماية ملكيتها الفكرية. تعرف اكثر