![](/images/graphics-bg.png)
On the Evaluation of Gate Dielectrics for 4H-SiC Based Power MOSFETs
المؤلف
المصدر
Active and Passive Electronic Components
العدد
المجلد 2015، العدد 2015 (31 ديسمبر/كانون الأول 2015)، ص ص. 1-12، 12ص.
الناشر
Hindawi Publishing Corporation
تاريخ النشر
2015-01-01
دولة النشر
مصر
عدد الصفحات
12
التخصصات الرئيسية
الملخص EN
This work deals with the assessment of gate dielectric for 4H-SiC MOSFETs using technology based two-dimensional numerical computer simulations.
Results are studied for variety of gate dielectric candidates with varying thicknesses using well-known Fowler-Nordheim tunneling model.
Compared to conventional SiO2 as a gate dielectric for 4H-SiC MOSFETs, high-k gate dielectric such as HfO2 reduces significantly the amount of electric field in the gate dielectric with equal gate dielectric thickness and hence the overall gate current density.
High-k gate dielectric further reduces the shift in the threshold voltage with varying dielectric thicknesses, thus leading to better process margin and stable device operating behavior.
For fixed dielectric thickness, a total shift in the threshold voltage of about 2.5 V has been observed with increasing dielectric constant from SiO2 (k=3.9) to HfO2 (k=25).
This further results in higher transconductance of the device with the increase of the dielectric constant from SiO2 to HfO2.
Furthermore, 4H-SiC MOSFETs are found to be more sensitive to the shift in the threshold voltage with conventional SiO2 as gate dielectric than high-k dielectric with the presence of interface state charge density that is typically observed at the interface of dielectric and 4H-SiC MOS surface.
نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)
Nawaz, Muhammad. 2015. On the Evaluation of Gate Dielectrics for 4H-SiC Based Power MOSFETs. Active and Passive Electronic Components،Vol. 2015, no. 2015, pp.1-12.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1053834
نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)
Nawaz, Muhammad. On the Evaluation of Gate Dielectrics for 4H-SiC Based Power MOSFETs. Active and Passive Electronic Components No. 2015 (2015), pp.1-12.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1053834
نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)
Nawaz, Muhammad. On the Evaluation of Gate Dielectrics for 4H-SiC Based Power MOSFETs. Active and Passive Electronic Components. 2015. Vol. 2015, no. 2015, pp.1-12.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1053834
نوع البيانات
مقالات
لغة النص
الإنجليزية
الملاحظات
Includes bibliographical references
رقم السجل
BIM-1053834
قاعدة معامل التأثير والاستشهادات المرجعية العربي "ارسيف Arcif"
أضخم قاعدة بيانات عربية للاستشهادات المرجعية للمجلات العلمية المحكمة الصادرة في العالم العربي
![](/images/ebook-kashef.png)
تقوم هذه الخدمة بالتحقق من التشابه أو الانتحال في الأبحاث والمقالات العلمية والأطروحات الجامعية والكتب والأبحاث باللغة العربية، وتحديد درجة التشابه أو أصالة الأعمال البحثية وحماية ملكيتها الفكرية. تعرف اكثر
![](/images/kashef-image.png)