The Achievement of a Zinc Oxide-Based Homojunction Diode Using Radio Frequency Magnetron Cosputtering System
المؤلفون المشاركون
Chen, Tai-Hong
Lai, Li-Wen
Liu, Day-Shan
Chiu, Hung-Jen
Lee, Ching-Ting
Hong, Jhen-Dong
المصدر
العدد
المجلد 2015، العدد 2015 (31 ديسمبر/كانون الأول 2015)، ص ص. 1-8، 8ص.
الناشر
Hindawi Publishing Corporation
تاريخ النشر
2015-04-02
دولة النشر
مصر
عدد الصفحات
8
التخصصات الرئيسية
الملخص EN
(Al + N)-codoped p-type zinc oxide (ZnO)/undoped n-type ZnO homojunction structure was deposited onto Si (100) substrate by using radio frequency (rf) magnetron cosputtering system.
Transparent indium tin oxide (ITO)-ZnO cosputtered film was employed as the ohmic contact electrode to the n-type ZnO film, and the specific contact resistance was optimized to 2.9×10-6 Ω cm2 after treating by a rapid thermal annealing (RTA) process at 400°C for 5 min under vacuum ambient.
The ohmic contact behavior between the metallic Ni/Au and p-ZnO film also was improved to 3.5×10-5 Ω cm2 after annealing at 300°C for 3 min under nitrogen ambient.
The interfacial diffusion of these ohmic contact systems which led to the optimization of the specific contact resistances by the RTA process was investigated by the Auger electron spectroscopy (AES) depth profile measurements.
The diode characteristics of the resulting p-ZnO/n-ZnO homojunction structure realized with these ohmic contact electrodes were confirmed by current-voltage (I-V) measurement, which performed a forward turn-on voltage of 1.44 V with a reverse current of 1.1×10-5 A at −2 V.
نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)
Chiu, Hung-Jen& Chen, Tai-Hong& Lai, Li-Wen& Lee, Ching-Ting& Hong, Jhen-Dong& Liu, Day-Shan. 2015. The Achievement of a Zinc Oxide-Based Homojunction Diode Using Radio Frequency Magnetron Cosputtering System. Journal of Nanomaterials،Vol. 2015, no. 2015, pp.1-8.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1068889
نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)
Chiu, Hung-Jen…[et al.]. The Achievement of a Zinc Oxide-Based Homojunction Diode Using Radio Frequency Magnetron Cosputtering System. Journal of Nanomaterials No. 2015 (2015), pp.1-8.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1068889
نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)
Chiu, Hung-Jen& Chen, Tai-Hong& Lai, Li-Wen& Lee, Ching-Ting& Hong, Jhen-Dong& Liu, Day-Shan. The Achievement of a Zinc Oxide-Based Homojunction Diode Using Radio Frequency Magnetron Cosputtering System. Journal of Nanomaterials. 2015. Vol. 2015, no. 2015, pp.1-8.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1068889
نوع البيانات
مقالات
لغة النص
الإنجليزية
الملاحظات
Includes bibliographical references
رقم السجل
BIM-1068889
قاعدة معامل التأثير والاستشهادات المرجعية العربي "ارسيف Arcif"
أضخم قاعدة بيانات عربية للاستشهادات المرجعية للمجلات العلمية المحكمة الصادرة في العالم العربي
تقوم هذه الخدمة بالتحقق من التشابه أو الانتحال في الأبحاث والمقالات العلمية والأطروحات الجامعية والكتب والأبحاث باللغة العربية، وتحديد درجة التشابه أو أصالة الأعمال البحثية وحماية ملكيتها الفكرية. تعرف اكثر