![](/images/graphics-bg.png)
Effects of Precursor-Substrate Distances on the Growth of GaN Nanowires
المؤلفون المشاركون
Zheng, Xuejun
Cheng, Hongbin
Li, Jia
Wu, Dongxu
Li, Yanxi
Wang, Zhiguang
Wang, Xianying
المصدر
العدد
المجلد 2015، العدد 2015 (31 ديسمبر/كانون الأول 2015)، ص ص. 1-6، 6ص.
الناشر
Hindawi Publishing Corporation
تاريخ النشر
2015-08-12
دولة النشر
مصر
عدد الصفحات
6
التخصصات الرئيسية
الملخص EN
GaN nanowires were synthesized through the Ni-catalyzed chemical vapor deposition (CVD) method using Ga2O3/GaN mixtures as gallium sources, and precursor-substrate distances were investigated as the important factor for the growth of GaN nanowires.
The microstructure, composition, and photoluminescence property were characterized by X-ray diffraction, field emission scanning electron microscopy, high-resolution transmission electron microscopy, and photoluminescence spectra.
The results showed that single crystalline GaN nanowires with the diameter of about 90 nm and the length up to tens of micrometers had been grown thickly across Si (100) substrates with uniform density.
Moreover, the variations of the GaN nanowire morphology, density, and size were largely attributed to substrate positions which would influence Ga precursor density in the carrier gas, the saturation degree of gaseous reactants, and the catalyst activity, respectively, in the fabrication of GaN nanowires by the vapour liquid solid mechanism.
نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)
Cheng, Hongbin& Li, Jia& Wu, Dongxu& Li, Yanxi& Wang, Zhiguang& Wang, Xianying…[et al.]. 2015. Effects of Precursor-Substrate Distances on the Growth of GaN Nanowires. Journal of Nanomaterials،Vol. 2015, no. 2015, pp.1-6.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1068929
نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)
Cheng, Hongbin…[et al.]. Effects of Precursor-Substrate Distances on the Growth of GaN Nanowires. Journal of Nanomaterials No. 2015 (2015), pp.1-6.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1068929
نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)
Cheng, Hongbin& Li, Jia& Wu, Dongxu& Li, Yanxi& Wang, Zhiguang& Wang, Xianying…[et al.]. Effects of Precursor-Substrate Distances on the Growth of GaN Nanowires. Journal of Nanomaterials. 2015. Vol. 2015, no. 2015, pp.1-6.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1068929
نوع البيانات
مقالات
لغة النص
الإنجليزية
الملاحظات
Includes bibliographical references
رقم السجل
BIM-1068929
قاعدة معامل التأثير والاستشهادات المرجعية العربي "ارسيف Arcif"
أضخم قاعدة بيانات عربية للاستشهادات المرجعية للمجلات العلمية المحكمة الصادرة في العالم العربي
![](/images/ebook-kashef.png)
تقوم هذه الخدمة بالتحقق من التشابه أو الانتحال في الأبحاث والمقالات العلمية والأطروحات الجامعية والكتب والأبحاث باللغة العربية، وتحديد درجة التشابه أو أصالة الأعمال البحثية وحماية ملكيتها الفكرية. تعرف اكثر
![](/images/kashef-image.png)