![](/images/graphics-bg.png)
Interface Study on Amorphous Indium Gallium Zinc Oxide Thin Film Transistors Using High-k Gate Dielectric Materials
المؤلفون المشاركون
المصدر
العدد
المجلد 2015، العدد 2015 (31 ديسمبر/كانون الأول 2015)، ص ص. 1-6، 6ص.
الناشر
Hindawi Publishing Corporation
تاريخ النشر
2015-12-09
دولة النشر
مصر
عدد الصفحات
6
التخصصات الرئيسية
الملخص EN
We investigated amorphous indium gallium zinc oxide (a-IGZO) thin film transistors (TFTs) using different high-k gate dielectric materials such as silicon nitride (Si3N4) and aluminum oxide (Al2O3) at low temperature process (<300°C) and compared them with low temperature silicon dioxide (SiO2).
The IGZO device with high-k gate dielectric material will expect to get high gate capacitance density to induce large amount of channel carrier and generate the higher drive current.
In addition, for the integrating process of integrating IGZO device, postannealing treatment is an essential process for completing the process.
The chemical reaction of the high-k/IGZO interface due to heat formation in high-k/IGZO materials results in reliability issue.
We also used the voltage stress for testing the reliability for the device with different high-k gate dielectric materials and explained the interface effect by charge band diagram.
نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)
Lin, Yu-Hsien& Chou, Jay-Chi. 2015. Interface Study on Amorphous Indium Gallium Zinc Oxide Thin Film Transistors Using High-k Gate Dielectric Materials. Journal of Nanomaterials،Vol. 2015, no. 2015, pp.1-6.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1069301
نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)
Lin, Yu-Hsien& Chou, Jay-Chi. Interface Study on Amorphous Indium Gallium Zinc Oxide Thin Film Transistors Using High-k Gate Dielectric Materials. Journal of Nanomaterials No. 2015 (2015), pp.1-6.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1069301
نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)
Lin, Yu-Hsien& Chou, Jay-Chi. Interface Study on Amorphous Indium Gallium Zinc Oxide Thin Film Transistors Using High-k Gate Dielectric Materials. Journal of Nanomaterials. 2015. Vol. 2015, no. 2015, pp.1-6.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1069301
نوع البيانات
مقالات
لغة النص
الإنجليزية
الملاحظات
Includes bibliographical references
رقم السجل
BIM-1069301
قاعدة معامل التأثير والاستشهادات المرجعية العربي "ارسيف Arcif"
أضخم قاعدة بيانات عربية للاستشهادات المرجعية للمجلات العلمية المحكمة الصادرة في العالم العربي
![](/images/ebook-kashef.png)
تقوم هذه الخدمة بالتحقق من التشابه أو الانتحال في الأبحاث والمقالات العلمية والأطروحات الجامعية والكتب والأبحاث باللغة العربية، وتحديد درجة التشابه أو أصالة الأعمال البحثية وحماية ملكيتها الفكرية. تعرف اكثر
![](/images/kashef-image.png)