![](/images/graphics-bg.png)
Ni-Based Ohmic Contacts to n-Type 4H-SiC: The Formation Mechanism and Thermal Stability
المؤلفون المشاركون
Kamińska, Eliana
Borysiewicz, Michał
Piotrowska, Anna
Kuchuk, A. V.
Wzorek, M.
Ratajczak, R.
Golaszewska, K.
Kladko, V.
Borowicz, Paweł
المصدر
Advances in Condensed Matter Physics
العدد
المجلد 2016، العدد 2016 (31 ديسمبر/كانون الأول 2016)، ص ص. 1-26، 26ص.
الناشر
Hindawi Publishing Corporation
تاريخ النشر
2016-03-16
دولة النشر
مصر
عدد الصفحات
26
التخصصات الرئيسية
الملخص EN
The fabrication of low-resistance and thermal stable ohmic contacts is important for realization of reliable SiC devices.
For the n-type SiC, Ni-based metallization is most commonly used for Schottky and ohmic contacts.
Many experimental studies have been performed in order to understand the mechanism of ohmic contact formation and different models were proposed to explain the Schottky to ohmic transition for Ni/SiC contacts.
In the present review, we summarize the last key results on the matter and post open questions concerning the unclear issues of ohmic contacts to n-type SiC.
Analysis of the literature data and our own experimental observations have led to the conclusion that the annealing at high temperature leads to the preferential orientation of silicide at the heterointerface (0001)SiC//(013)δ-Ni2Si.
Moreover, we may conclude that only δ-Ni2Si grains play a key role in determining electrical transport properties at the contact/SiC interface.
Finally, we show that the diffusion barriers with free diffusion path microstructure can improve thermal stability of metal-SiC ohmic contacts for high-temperature electronics.
نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)
Kuchuk, A. V.& Borowicz, Paweł& Wzorek, M.& Borysiewicz, Michał& Ratajczak, R.& Golaszewska, K.…[et al.]. 2016. Ni-Based Ohmic Contacts to n-Type 4H-SiC: The Formation Mechanism and Thermal Stability. Advances in Condensed Matter Physics،Vol. 2016, no. 2016, pp.1-26.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1094953
نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)
Kuchuk, A. V.…[et al.]. Ni-Based Ohmic Contacts to n-Type 4H-SiC: The Formation Mechanism and Thermal Stability. Advances in Condensed Matter Physics No. 2016 (2016), pp.1-26.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1094953
نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)
Kuchuk, A. V.& Borowicz, Paweł& Wzorek, M.& Borysiewicz, Michał& Ratajczak, R.& Golaszewska, K.…[et al.]. Ni-Based Ohmic Contacts to n-Type 4H-SiC: The Formation Mechanism and Thermal Stability. Advances in Condensed Matter Physics. 2016. Vol. 2016, no. 2016, pp.1-26.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1094953
نوع البيانات
مقالات
لغة النص
الإنجليزية
الملاحظات
Includes bibliographical references
رقم السجل
BIM-1094953
قاعدة معامل التأثير والاستشهادات المرجعية العربي "ارسيف Arcif"
أضخم قاعدة بيانات عربية للاستشهادات المرجعية للمجلات العلمية المحكمة الصادرة في العالم العربي
![](/images/ebook-kashef.png)
تقوم هذه الخدمة بالتحقق من التشابه أو الانتحال في الأبحاث والمقالات العلمية والأطروحات الجامعية والكتب والأبحاث باللغة العربية، وتحديد درجة التشابه أو أصالة الأعمال البحثية وحماية ملكيتها الفكرية. تعرف اكثر
![](/images/kashef-image.png)